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ATF-52189-BLK

更新时间： 2024-02-16 08:49:26
品牌 Logo 应用领域
安华高科 - AVAGO 放大器晶体管
页数 文件大小 规格书
19页 400K
描述
C BAND, Si, N-CHANNEL, RF SMALL SIGNAL, HEMFET, LEAD FREE PACKAGE-3

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ATF-52189-BLK 技术参数

是否Rohs认证： 符合生命周期：Obsolete
包装说明：SMALL OUTLINE, R-PSSO-F3Reach Compliance Code：compliant
ECCN代码：EAR99HTS代码：8541.21.00.75
风险等级：5.79其他特性：LOW NOISE
外壳连接：SOURCE配置：SINGLE
最小漏源击穿电压：7 V最大漏极电流 (Abs) (ID)：0.5 A
最大漏极电流 (ID)：0.3 AFET 技术：HIGH ELECTRON MOBILITY
最高频带：C BANDJESD-30 代码：R-PSSO-F3
JESD-609代码：e3湿度敏感等级：2
元件数量：1端子数量：3
工作模式：ENHANCEMENT MODE最高工作温度：150 °C
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装形状：RECTANGULAR
封装形式：SMALL OUTLINE峰值回流温度（摄氏度）：260
极性/信道类型：N-CHANNEL功耗环境最大值：1.5 W
最小功率增益 (Gp)：14 dB认证状态：Not Qualified
子类别：FET RF Small Signals表面贴装：YES
端子面层：Matte Tin (Sn)端子形式：FLAT
端子位置：SINGLE处于峰值回流温度下的最长时间：40
晶体管应用：AMPLIFIER晶体管元件材料：SILICON
Base Number Matches：1

ATF-52189-BLK 数据手册

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ATF-52189  
High Linearity Mode Enhancement  
Pseudomorphic HEMT in SOT 89 Package  
[1]  
Data Sheet  
Description  
Features  
Avago Technologies’s ATF-52189 is a single-voltage high • Single voltage operation  
linearity, low noise E-pHEMT FET packaged in a low cost  
surface mount SOT89 package. The device is ideal as a  
medium-power, high-linearity amplifier. Its operating fre-  
• High Linearity and P1dB  
• Low Noise Figure  
quency range is from 50 MHz to 6 GHz.  
• Excellent uniformity in product specifications  
• SOT 89 standard package  
ATF-52189 is ideally suited for Cellular/PCS and WCDMA  
wireless infrastructure, WLAN, WLL and MMDS applica-  
tion, and general purpose discrete E-pHEMT amplifiers  
which require medium power and high linearity. All de-  
vices are 100% RF and DC tested.  
[2]  
• Point MTTF > 300 years  
• MSL-2 and lead-free  
• Tape-and-Reel packaging option available  
Specifications  
2 GH, 4.5V, 280 mA (Typ.)  
Notes:  
1. Enhancement mode technology employs a single positive Vgs,  
eliminating the need of negative gate voltage associated with  
conventional depletion mode devices.  
• 42 dBm Output IP3  
• 27 dBm Output Power at 1dB gain compression  
• 1.50 dB Noise Figure  
• 16.0 dB Gain  
2. Refer to reliability datasheet for detailed MTTF data  
3. Conform to JEDEC reference outline MO229 for DRP-N  
4. Linearity Figure of Merit (LFOM) is OIP3 divided by DC bias power  
• 55% PAE at P1dB  
[3]  
Pin Connections and Package Marking  
• LFOM 12.5 dB  
Applications  
• Front-end LNA Q2 and Q3, Driver or Pre-driver Amplifier  
for Cellular/PCS and WCDMA wireless infrastructure  
2GX  
• Driver Amplifier for WLAN, WLL/RLL and MMDS  
applications  
#1  
RFin  
#2  
#3  
RFout  
#3  
RFout  
#2  
#1  
RFin  
• General purpose discrete E-pHEMT for other high  
GND  
GND  
linearity applications  
Top View  
Bottom View  
Notes:  
Package marking provides orientation and identification:  
“2G”= Device Code  
“x”= Month code indicates the month of manufacture.  
1234567...19

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