5秒后页面跳转
ATF-521P8-TR2 PDF预览

ATF-521P8-TR2

更新时间: 2024-11-30 06:38:35
品牌 Logo 应用领域
安华高科 - AVAGO 晶体晶体管光电二极管放大器PC
页数 文件大小 规格书
23页 304K
描述
High Linearity Enhancement Mode[1] Pseudomorphic 2x2 mm2 LPCC[3] Package

ATF-521P8-TR2 技术参数

是否无铅: 不含铅是否Rohs认证: 符合
生命周期:Obsolete零件包装代码:SON
包装说明:SMALL OUTLINE, S-PDSO-N8针数:8
Reach Compliance Code:compliantECCN代码:EAR99
HTS代码:8541.29.00.75风险等级:5.09
其他特性:LOW NOISE外壳连接:SOURCE
配置:SINGLE最小漏源击穿电压:7 V
最大漏极电流 (Abs) (ID):0.5 A最大漏极电流 (ID):0.5 A
FET 技术:HIGH ELECTRON MOBILITY最高频带:L BAND
JEDEC-95代码:MO-229JESD-30 代码:S-PDSO-N8
JESD-609代码:e3湿度敏感等级:1
元件数量:1端子数量:8
工作模式:ENHANCEMENT MODE最高工作温度:150 °C
封装主体材料:PLASTIC/EPOXY封装形状:SQUARE
封装形式:SMALL OUTLINE峰值回流温度(摄氏度):260
极性/信道类型:N-CHANNEL功耗环境最大值:1.5 W
最小功率增益 (Gp):15.5 dB认证状态:Not Qualified
子类别:FET RF Small Signal表面贴装:YES
端子面层:Matte Tin (Sn)端子形式:NO LEAD
端子位置:DUAL处于峰值回流温度下的最长时间:NOT SPECIFIED
晶体管应用:AMPLIFIER晶体管元件材料:SILICON
Base Number Matches:1

ATF-521P8-TR2 数据手册

 浏览型号ATF-521P8-TR2的Datasheet PDF文件第2页浏览型号ATF-521P8-TR2的Datasheet PDF文件第3页浏览型号ATF-521P8-TR2的Datasheet PDF文件第4页浏览型号ATF-521P8-TR2的Datasheet PDF文件第5页浏览型号ATF-521P8-TR2的Datasheet PDF文件第6页浏览型号ATF-521P8-TR2的Datasheet PDF文件第7页 

ATF-521P8-TR2 替代型号

型号 品牌 替代类型 描述 数据表
ATF-521P8-BLK AVAGO

完全替代

High Linearity Enhancement Mode[1] Pseudomorphic 2x2 mm2 LPCC[3] Package

与ATF-521P8-TR2相关器件

型号 品牌 获取价格 描述 数据表
ATF-521P8-TR2G AGILENT

获取价格

RF Small Signal Field-Effect Transistor, 1-Element, C Band, Silicon, N-Channel, High Elect
ATF524 POSEICO

获取价格

FAST SWITCHING THYRISTOR
ATF524S16N POSEICO

获取价格

FAST SWITCHING THYRISTOR
ATF527 POSEICO

获取价格

FAST SWITCHING THYRISTOR
ATF527S14M POSEICO

获取价格

FAST SWITCHING THYRISTOR
ATF530 POSEICO

获取价格

FAST SWITCHING THYRISTOR
ATF530S20S POSEICO

获取价格

FAST SWITCHING THYRISTOR
ATF-53189 AGILENT

获取价格

Enhancement Mode Pseudomorphic HEMT in SOT 89 Package
ATF-53189 AVAGO

获取价格

Enhancement Mode Pseudomorphic HEMT in SOT 89 Package Single voltage operation
ATF-53189-BLK AVAGO

获取价格

Enhancement Mode Pseudomorphic HEMT in SOT 89 Package Single voltage operation