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| 是否无铅： | 不含铅 | 是否Rohs认证： | 符合 |
| 生命周期： | Obsolete | 零件包装代码： | SON |
| 包装说明： | SMALL OUTLINE, S-PDSO-N8 | 针数： | 8 |
| Reach Compliance Code： | compliant | ECCN代码： | EAR99 |
| HTS代码： | 8541.29.00.75 | 风险等级： | 5.09 |
| Is Samacsys： | N | 其他特性： | LOW NOISE |
| 外壳连接： | SOURCE | 配置： | SINGLE |
| 最小漏源击穿电压： | 7 V | 最大漏极电流 (Abs) (ID)： | 0.5 A |
| 最大漏极电流 (ID)： | 0.5 A | FET 技术： | HIGH ELECTRON MOBILITY |
| 最高频带： | L BAND | JEDEC-95代码： | MO-229 |
| JESD-30 代码： | S-PDSO-N8 | JESD-609代码： | e3 |
| 湿度敏感等级： | 1 | 元件数量： | 1 |
| 端子数量： | 8 | 工作模式： | ENHANCEMENT MODE |
| 最高工作温度： | 150 °C | 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY |
| 封装形状： | SQUARE | 封装形式： | SMALL OUTLINE |
| 峰值回流温度（摄氏度）： | 260 | 极性/信道类型： | N-CHANNEL |
| 功耗环境最大值： | 1.5 W | 最小功率增益 (Gp)： | 15.5 dB |
| 认证状态： | Not Qualified | 子类别： | FET RF Small Signal |
| 表面贴装： | YES | 端子面层： | Matte Tin (Sn) |
| 端子形式： | NO LEAD | 端子位置： | DUAL |
| 处于峰值回流温度下的最长时间： | NOT SPECIFIED | 晶体管应用： | AMPLIFIER |
| 晶体管元件材料： | SILICON | Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| ATF-521P8-BLKG | AGILENT |
获取价格 |
RF Small Signal Field-Effect Transistor, 1-Element, C Band, Silicon, N-Channel, High Elect |
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| ATF-521P8-TR1 | AVAGO |
获取价格 |
High Linearity Enhancement Mode[1] Pseudomorphic 2x2 mm2 LPCC[3] Package |
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| ATF-521P8-TR1G | AGILENT |
获取价格 |
RF Small Signal Field-Effect Transistor, 1-Element, C Band, Silicon, N-Channel, High Elect |
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| ATF-521P8-TR2 | AVAGO |
获取价格 |
High Linearity Enhancement Mode[1] Pseudomorphic 2x2 mm2 LPCC[3] Package |
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| ATF-521P8-TR2G | AGILENT |
获取价格 |
RF Small Signal Field-Effect Transistor, 1-Element, C Band, Silicon, N-Channel, High Elect |
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| ATF524 | POSEICO |
获取价格 |
FAST SWITCHING THYRISTOR |
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| ATF524S16N | POSEICO |
获取价格 |
FAST SWITCHING THYRISTOR |
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| ATF527 | POSEICO |
获取价格 |
FAST SWITCHING THYRISTOR |
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| ATF527S14M | POSEICO |
获取价格 |
FAST SWITCHING THYRISTOR |
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| ATF530 | POSEICO |
获取价格 |
FAST SWITCHING THYRISTOR |
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