是否无铅: | 含铅 | 是否Rohs认证: | 不符合 |
生命周期: | Active | 零件包装代码: | TO-247AD |
包装说明: | TO-247, 3 PIN | 针数: | 3 |
Reach Compliance Code: | compliant | 风险等级: | 5.2 |
Is Samacsys: | N | 外壳连接: | SOURCE |
配置: | SINGLE | 最小漏源击穿电压: | 450 V |
最大漏极电流 (Abs) (ID): | 9 A | 最大漏极电流 (ID): | 9 A |
FET 技术: | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR | 最大反馈电容 (Crss): | 40 pF |
最高频带: | VERY HIGH FREQUENCY BAND | JEDEC-95代码: | TO-247 |
JESD-30 代码: | R-PSFM-T3 | JESD-609代码: | e0 |
元件数量: | 1 | 端子数量: | 3 |
工作模式: | ENHANCEMENT MODE | 最高工作温度: | 150 °C |
最低工作温度: | -55 °C | 封装主体材料: | PLASTIC/EPOXY |
封装形状: | RECTANGULAR | 封装形式: | FLANGE MOUNT |
极性/信道类型: | N-CHANNEL | 最小功率增益 (Gp): | 12 dB |
认证状态: | Not Qualified | 表面贴装: | NO |
端子面层: | Tin/Lead (Sn/Pb) | 端子形式: | THROUGH-HOLE |
端子位置: | SINGLE | 晶体管应用: | AMPLIFIER |
晶体管元件材料: | SILICON | 最大关闭时间(toff): | 32 ns |
最大开启时间(吨): | 17 ns | Base Number Matches: | 1 |
型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
ARF449B | ADPOW |
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N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE | |
ARF449B | MICROSEMI |
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RF Power Field-Effect Transistor, 1-Element, Very High Frequency Band, Silicon, N-Channel, | |
ARF449BG | MICROSEMI |
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RF Power Field-Effect Transistor | |
ARF450 | ADPOW |
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N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE | |
ARF460A | ADPOW |
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N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE POWER MOSFETs | |
ARF460A | MICROSEMI |
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RF POWER MOSFET N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE | |
ARF460AG | MICROSEMI |
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RF POWER MOSFET N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE | |
ARF460B | MICROSEMI |
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RF POWER MOSFET N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE | |
ARF460B | ADPOW |
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N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE POWER MOSFETs | |
ARF460BG | MICROSEMI |
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RF POWER MOSFET N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE |