ARF460A

更新时间： 2024-01-29 05:31:32

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N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE POWER MOSFETs

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ARF460A 技术参数

是否无铅：	不含铅	是否Rohs认证：	符合
生命周期：	Active	零件包装代码：	TO-247AD
包装说明：	ROHS COMPLIANT PACKAGE-3	针数：	3
Reach Compliance Code：	compliant	风险等级：	1.19
Is Samacsys：	N	外壳连接：	SOURCE
配置：	SINGLE	最小漏源击穿电压：	500 V
最大漏极电流 (ID)：	14 A	FET 技术：	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
最高频带：	VERY HIGH FREQUENCY BAND	JEDEC-95代码：	TO-247AD
JESD-30 代码：	R-PSFM-T3	JESD-609代码：	e1
湿度敏感等级：	1	元件数量：	1
端子数量：	3	工作模式：	ENHANCEMENT MODE
最高工作温度：	150 °C	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	FLANGE MOUNT
峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED	极性/信道类型：	N-CHANNEL
认证状态：	Not Qualified	表面贴装：	NO
端子面层：	TIN SILVER COPPER	端子形式：	THROUGH-HOLE
端子位置：	SINGLE	处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED
晶体管应用：	AMPLIFIER	晶体管元件材料：	SILICON
Base Number Matches：	1

ARF460A 数据手册

ARF460A

ARF460B

TO-247

Common

Source

RF POWER MOSFETs

N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE

125V 150W

65MHz

The ARF460A and ARF460B comprise a symmetric pair of common source RF power transistors designed for push-

pull scientific, commercial, medical and industrial RF power amplifier applications up to 65 MHz. They have been

optimized for both linear and high efficiency classes of operation.

• Specified 125 Volt, 40.68 MHz Characteristics:

• Low Cost Common Source RF Package.

• Low Vth thermal coefficient.

•

Output Power = 150 Watts.

Gain = 13dB (Class AB)

Efficiency = 75% (Class C)

• Low Thermal Resistance.

• Optimized SOA for Superior Ruggedness.

MAXIMUM RATINGS

Symbol Parameter

All Ratings: T = 25°C unless otherwise specified.

ARF460A/B

500

UNIT

V_DSS

V_DGO

I_D

Drain-Source Voltage

Volts

Drain-Gate Voltage

500

Continuous Drain Current @ T_C= 25°C

Gate-Source Voltage

Amps

Volts

Watts

°C/W

V_GS

±30

P_D

Total Power Dissipation @ T_C= 25°C

Junction to Case

250

R_θJC

T_J,T_STG

T_L

0.50

Operating and Storage Junction Temperature Range

Lead Temperature: 0.063" from Case for 10 Sec.

-55 to 150

300

°C

STATIC ELECTRICAL CHARACTERISTICS

Characteristic / Test Conditions

UNIT

Symbol

BV_DSS

MIN

TYP

MAX

Drain-Source Breakdown Voltage (V_GS= 0V, I_D= 250 µA)

500

Volts

V_DS(ON)

On State Drain Voltage (I_D(ON) = 7A, V_GS= 10V)

Zero Gate Voltage Drain Current (V_DS= V_DSS, V_GS= 0V)

Zero Gate Voltage Drain Current (V_DS= 0.8 V_DSS, V_GS= 0V, T_C= 125°C)

Gate-Source Leakage Current (V_GS= ±30V, V_DS= 0V)

Forward Transconductance (V_DS= 25V, I_D= 7A)

I_DSS

µA

250

±100

I_GSS

g_fs

3.3

5.5

mhos

Volts

V_GS(TH)

Gate Threshold Voltage (V_DS= V_GS, I_D= 50mA)

CAUTION: These Devices are Sensitive to Electrostatic Discharge. Proper Handling Procedures Should Be Followed.

APT Website - http://www.advancedpower.com

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