ARF463A

更新时间： 2024-02-07 00:27:46

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ADPOW		晶体射频场效应晶体管放大器局域网
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N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE

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ARF463A 技术参数

是否无铅：	含铅	是否Rohs认证：	符合
生命周期：	Active	Reach Compliance Code：	compliant
风险等级：	5.19	外壳连接：	SOURCE
配置：	SINGLE	最小漏源击穿电压：	500 V
最大漏极电流 (Abs) (ID)：	9 A	最大漏极电流 (ID)：	9 A
FET 技术：	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR	最大反馈电容 (Crss)：	12 pF
最高频带：	VERY HIGH FREQUENCY BAND	JEDEC-95代码：	TO-247
JESD-30 代码：	R-PSFM-T3	元件数量：	1
端子数量：	3	工作模式：	ENHANCEMENT MODE
最高工作温度：	150 °C	最低工作温度：	-55 °C
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	FLANGE MOUNT	极性/信道类型：	N-CHANNEL
最小功率增益 (Gp)：	13 dB	表面贴装：	NO
端子形式：	THROUGH-HOLE	端子位置：	SINGLE
晶体管应用：	AMPLIFIER	晶体管元件材料：	SILICON
最大关闭时间（toff）：	28 ns	最大开启时间（吨）：	18 ns
Base Number Matches：	1

ARF463A 数据手册

ARF463A

ARF463B

TO-247

Common

Source

RF POWER MOSFETs

N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE

125V 100W 100MHz

The ARF463A and ARF463B comprise a symmetric pair of common source RF power transistors designed for push-

pull scientific, commercial, medical and industrial RF power amplifier applications up to 100 MHz. They have been

optimized for both linear and high efficiency classes of operation.

• Specified 125 Volt, 81.36 MHz Characteristics:

• Low Cost Common Source RF Package.

• Low Vth thermal coefficient.

•

Output Power = 100 Watts.

Gain = 15dB (Class AB)

Efficiency = 75% (Class C)

• Low Thermal Resistance.

• Optimized SOA for Superior Ruggedness.

MAXIMUM RATINGS

Symbol Parameter

All Ratings: T = 25°C unless otherwise specified.

ARF463A/B

500

UNIT

V_DSS

V_DGO

I_D

Drain-Source Voltage

Volts

Drain-Gate Voltage

500

Continuous Drain Current @ T_C= 25°C

Gate-Source Voltage

Amps

Volts

Watts

°C/W

V_GS

±30

P_D

Total Power Dissipation @ T_C= 25°C

Junction to Case

180

R_qJC

T_J,T_STG

T_L

0.50

Operating and Storage Junction Temperature Range

Lead Temperature: 0.063" from Case for 10 Sec.

-55 to 150

300

°C

STATIC ELECTRICAL CHARACTERISTICS

Characteristic / Test Conditions

UNIT

Symbol

BV_DSS

MIN

TYP

MAX

Drain-Source Breakdown Voltage (V_GS= 0V, I_D= 250 µA)

500

Volts

V_DS(ON)

On State Drain Voltage (I_D(ON) = 4.5A, V_GS= 10V)

5.0

Zero Gate Voltage Drain Current (V_DS= V_DSS, V_GS= 0V)

Zero Gate Voltage Drain Current (V_DS= 0.8 V_DSS, V_GS= 0V, T_C= 125°C)

Gate-Source Leakage Current (V_GS= ±30V, V_DS= 0V)

Forward Transconductance (V_DS= 25V, I_D= 4.5A)

I_DSS

µA

250

±100

I_GSS

g_fs

mhos

Volts

V_GS(TH)

Gate Threshold Voltage (V_DS= V_GS, I_D= 50mA)

CAUTION: These Devices are Sensitive to Electrostatic Discharge. Proper Handling Procedures Should Be Followed.

APT Website - http://www.advancedpower.com

USA

405 S.W. Columbia Street

Chemin de Magret

Bend, Oregon 97702-1035

F-33700 Merignac - France

Phone: (541) 382-8028

Phone: (33) 5 57 92 15 15

FAX: (541) 388-0364

FAX: (33) 5 56 47 97 61

EUROPE

12 3 4

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型号	品牌	描述	获取价格	数据表
ARF463AG	MICROSEMI	RF Power Field-Effect Transistor	获取价格
ARF463AP1	ADPOW	N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE POWER MOSFETs	获取价格
ARF463AP1	MICROSEMI	RF Power Field-Effect Transistor, 1-Element, Very High Frequency Band, Silicon, N-Channel,	获取价格
ARF463AP1G	ADPOW	N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE POWER MOSFETs	获取价格
ARF463B	ADPOW	N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE	获取价格
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