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Datasheet > 晶体管 > 射频场效应晶体管> ARF461A
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ARF461A

更新时间： 2024-09-18 06:37:39
品牌 Logo 应用领域
美高森美 - MICROSEMI 晶体射频场效应晶体管放大器局域网
页数 文件大小 规格书
4页 138K
描述
RF POWER MOSFETs N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE

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ARF461A 技术参数

是否Rohs认证： 不符合生命周期：Obsolete
零件包装代码：TO-247AD包装说明：TO-247, 3 PIN
针数：3Reach Compliance Code：unknown
风险等级：5.09Is Samacsys：N
外壳连接：SOURCE配置：SINGLE
最小漏源击穿电压：1000 V最大漏极电流 (Abs) (ID)：6.5 A
最大漏极电流 (ID)：6.5 AFET 技术：METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
最高频带：VERY HIGH FREQUENCY BANDJEDEC-95代码：TO-247AD
JESD-30 代码：R-PSFM-T3JESD-609代码：e0
元件数量：1端子数量：3
工作模式：ENHANCEMENT MODE最高工作温度：150 °C
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装形状：RECTANGULAR
封装形式：FLANGE MOUNT峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED
极性/信道类型：N-CHANNEL最大功率耗散 (Abs)：250 W
认证状态：Not Qualified子类别：FET General Purpose Power
表面贴装：NO端子面层：TIN LEAD
端子形式：THROUGH-HOLE端子位置：SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED晶体管应用：AMPLIFIER
晶体管元件材料：SILICONBase Number Matches：1

ARF461A 数据手册

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ARF461A(G)  
ARF461B(G)  
Common  
Source  
RF POWER MOSFETs  
N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE  
250V 150W  
65MHz  
The ARF461A and ARF461B comprise a symmetric pair of common drain RF power transistors designed for push-  
pull scientific, commercial, medical and industrial RF power amplifier applications up to 65 MHz. They have been  
optimized for both linear and high efficiency classes of operation.  
• Specified 250 Volt, 40.68 MHz Characteristics:  
• Low Cost Common Source RF Package.  
• Low Vth thermal coefficient.  
•
•
•
Output Power = 150 Watts.  
Gain = 13dB (Class AB)  
Efficiency = 75% (Class C)  
• Low Thermal Resistance.  
• Optimized SOA for Superior Ruggedness.  
• RoHS Compliant  
MAXIMUM RATINGS  
All Ratings: T = 25°C unless otherwise specified.  
C
Symbol  
Parameter  
ARF461AG/BG  
Unit  
VDSS  
Drain-Source Voltage  
1000  
1000  
6.5  
V
VDGO  
ID  
Drain-Gate Voltage  
Continuous Drain Current @ TC = 25°C  
Gate-Source Voltage  
A
V
VGS  
PD  
±30  
Total Power Dissipation @ TC = 25°C  
Junction to Case  
250  
W
Rθ  
0.50  
°C/W  
JC  
TJ, TSTG  
TL  
Operating and Storage Junction Temperature Range  
Lead Temperature: 0.063” from Case for 10 Sec.  
-55 to 150  
300  
°C  
STATIC ELECTRICAL CHARACTERISTICS  
Symbol  
Parameter  
Min  
Typ  
Max  
Unit  
BVDSS  
Drain-Source Breakdown Voltage (VGS = 0V, ID = 250 μA)  
On State Drain Voltage 1 (ID(ON) = 3.25A, VGS = 10V)  
Zero Gate Voltage Drain Current (VDS = VDSS, VGS = 0V)  
Zero Gate Voltage Drain Current (VDS = 0.8VDSS, VGS = 0, TC = 125°C)  
Gate-Source Leakage Current (VDS = ±30V, VDS = 0V)  
Forward Transconductance (VDS = 25V, ID = 3.25A)  
Gate Threshold Voltage (VDS = VGS, ID = 50mA)  
1000  
V
VDS(ON)  
6.5  
25  
IDSS  
μA  
250  
IGSS  
gfs  
±100  
5
nA  
3
3
4
mhos  
Volts  
VGS(TH)  
CAUTION: These Devices are Sensitive to Electrostatic Discharge. Proper Handling Procedures Should Be Followed.  
Microsemi Website - http://www.microsemi.com  
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