ARF461A

更新时间： 2024-01-21 18:07:20

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N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE

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ARF461A 技术参数

是否无铅：	不含铅	是否Rohs认证：	符合
生命周期：	Obsolete	Reach Compliance Code：	compliant
ECCN代码：	EAR99	HTS代码：	8504.50.80.00
风险等级：	5.49	电容：	40000 µF
最大直流电阻：	0.24 Ω	滤波器类型：	DATA LINE FILTER
高度：	0.495 mm	长度：	1.73 mm
安装类型：	PANEL MOUNT	功能数量：	1
最高工作温度：	125 °C	最低工作温度：	-55 °C
物理尺寸：	L1.73XB1.67XH0.495 (mm)/L0.068XB0.066XH0.019 (inch)	额定电流：	5 A
额定电压：	50 V	Base Number Matches：	1

ARF461A 数据手册

ARF461A

ARF461B

TO-247

Common

Source

RF POWER MOSFETs

N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE

250V 150W

65MHz

The ARF461A and ARF461B comprise a symmetric pair of common source RF power transistors designed for push-

pull scientific, commercial, medical and industrial RF power amplifier applications up to 65 MHz. They have been

optimized for both linear and high efficiency classes of operation.

• Specified 250 Volt, 40.68 MHz Characteristics:

• Low Cost Common Source RF Package.

• Low Vth thermal coefficient.

•

Output Power = 150 Watts.

Gain = 13dB (Class AB)

Efficiency = 75% (Class C)

• Low Thermal Resistance.

• Optimized SOA for Superior Ruggedness.

MAXIMUM RATINGS

Symbol Parameter

All Ratings: T = 25°C unless otherwise specified.

ARF461A/B

1000

UNIT

V_DSS

V_DGO

I_D

Drain-Source Voltage

Volts

Drain-Gate Voltage

1000

Continuous Drain Current @ T_C= 25°C

Gate-Source Voltage

6.5

Amps

Volts

Watts

°C/W

V_GS

±30

P_D

Total Power Dissipation @ T_C= 25°C

Junction to Case

250

R_qJC

T_J,T_STG

T_L

0.50

Operating and Storage Junction Temperature Range

Lead Temperature: 0.063" from Case for 10 Sec.

-55 to 150

300

°C

STATIC ELECTRICAL CHARACTERISTICS

Characteristic / Test Conditions

UNIT

Symbol

BV_DSS

MIN

TYP

MAX

Drain-Source Breakdown Voltage (V_GS= 0V, I_D= 250 µA)

1000

Volts

V_DS(ON)

On State Drain Voltage (I_D(ON) = 3.25A, V_GS= 10V)

6.5

Zero Gate Voltage Drain Current (V_DS= V_DSS, V_GS= 0V)

Zero Gate Voltage Drain Current (V_DS= 0.8 V_DSS, V_GS= 0V, T_C= 125°C)

Gate-Source Leakage Current (V_GS= ±30V, V_DS= 0V)

Forward Transconductance (V_DS= 25V, I_D= 3.25A)

Gate Threshold Voltage (V_DS= V_GS, I_D= 50mA)

I_DSS

µA

250

±100

I_GSS

g_fs

mhos

Volts

V_GS(TH)

CAUTION: These Devices are Sensitive to Electrostatic Discharge. Proper Handling Procedures Should Be Followed.

APT Website - http://www.advancedpower.com

USA

405 S.W. Columbia Street

Chemin de Magret

Bend, Oregon 97702-1035

F-33700 Merignac - France

Phone: (541) 382-8028

Phone: (33) 5 57 92 15 15

FAX: (541) 388-0364

FAX: (33) 5 56 47 97 61

EUROPE

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