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ARF449BG

更新时间： 2024-02-22 02:53:22

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美高森美 - MICROSEMI		局域网放大器晶体管
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4页	1470K
描述
RF Power Field-Effect Transistor

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ARF449BG 技术参数

是否无铅：	含铅	是否Rohs认证：	符合
生命周期：	End Of Life	包装说明：	FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3
Reach Compliance Code：	compliant	ECCN代码：	EAR99
风险等级：	6.99	Is Samacsys：	N
外壳连接：	SOURCE	配置：	SINGLE
最小漏源击穿电压：	450 V	最大漏极电流 (Abs) (ID)：	9 A
最大漏极电流 (ID)：	9 A	FET 技术：	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
最大反馈电容 (Crss)：	40 pF	最高频带：	VERY HIGH FREQUENCY BAND
JEDEC-95代码：	TO-247	JESD-30 代码：	R-PSFM-T3
元件数量：	1	端子数量：	3
工作模式：	ENHANCEMENT MODE	最高工作温度：	150 °C
最低工作温度：	-55 °C	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	FLANGE MOUNT
极性/信道类型：	N-CHANNEL	最小功率增益 (Gp)：	12 dB
表面贴装：	NO	端子形式：	THROUGH-HOLE
端子位置：	SINGLE	晶体管应用：	AMPLIFIER
晶体管元件材料：	SILICON	最大关闭时间（toff）：	32 ns
最大开启时间（吨）：	17 ns	Base Number Matches：	1

ARF449BG 数据手册

ARF449A(G)

ARF449B(G)

*G Denotes RoHS Compliant, Pb Free Terminal Finish.

TO-247

Common

Source

RF POWER MOSFETs

N-CHANNELENHANCEMENTMODE

150V

90W 120MHz

The ARF449A and ARF449B comprise a symmetric pair of common source RF power transistors designed for push-

pull scientific, commercial, medical and industrial RF power amplifier applications up to 120 MHz.

• Low Cost Common Source RF Package.

• Very High Breakdown for Improved Ruggedness.

• Low Thermal Resistance.

• Specified 150 Volt, 81.36 MHz Characteristics:

•

Output Power = 90 Watts.

Gain = 13dB (Class C)

Efficiency = 75%

• Nitride Passivated Die for Improved Reliability.

MAXIMUM RATINGS

Symbol Parameter

All Ratings: T = 25°C unless otherwise specified.

ARF449A/449B(G)

UNIT

V_DSS

V_DGO

I_D

Drain-Source Voltage

450

Volts

Drain-Gate Voltage

Continuous Drain Current @ T_C= 25°C

Gate-Source Voltage

Amps

Volts

Watts

°C/W

V_GS

±30

P_D

Total Power Dissipation @ T_C= 25°C

Junction to Case

165

R_θJC

T_J,T_STG

T_L

0.76

-55 to 150

300

Operating and Storage Junction Temperature Range

Lead Temperature: 0.063" from Case for 10 Sec.

°C

STATIC ELECTRICAL CHARACTERISTICS

Characteristic / Test Conditions

UNIT

Symbol

BV_DSS

MIN

TYP

MAX

Drain-Source Breakdown Voltage (V_GS= 0V, I_D= 250 µA)

450

Volts

V_DS(ON)

On State Drain Voltage (I_D(ON) = 5A, V_GS= 10V)

Zero Gate Voltage Drain Current (V_DS= V_DSS, V_GS= 0V)

Zero Gate Voltage Drain Current (V_DS= 0.8 V_DSS, V_GS= 0V, T_C= 125°C)

Gate-Source Leakage Current (V_GS= ±30V, V_DS= 0V)

Forward Transconductance (V_DS= 25V, I_D= 5A)

I_DSS

µA

250

±100

I_GSS

g_fs

5.8

mhos

Volts

V_GS(TH)

Gate Threshold Voltage (V_DS= V_GS, I_D= 50mA)

CAUTION: These Devices are Sensitive to Electrostatic Discharge. Proper Handling Procedures Should Be Followed.

APT Website - http://www.advancedpower.com

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