ARF461C

更新时间： 2024-02-04 08:15:39

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美高森美 - MICROSEMI		晶体射频场效应晶体管放大器局域网
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描述
Power Field-Effect Transistor, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-247AD, TO-247, 3 PIN

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ARF461C 技术参数

是否无铅：	不含铅	是否Rohs认证：	符合
生命周期：	Obsolete	Reach Compliance Code：	compliant
ECCN代码：	EAR99	HTS代码：	8504.50.80.00
风险等级：	5.49	电容：	40000 µF
最大直流电阻：	0.24 Ω	滤波器类型：	DATA LINE FILTER
高度：	0.495 mm	长度：	1.73 mm
安装类型：	PANEL MOUNT	功能数量：	1
最高工作温度：	125 °C	最低工作温度：	-55 °C
物理尺寸：	L1.73XB1.67XH0.495 (mm)/L0.068XB0.066XH0.019 (inch)	额定电流：	5 A
额定电压：	50 V	Base Number Matches：	1

ARF461C 数据手册

ARF461A(G)

ARF461B(G)

Common

Source

RF POWER MOSFETs

N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE

250V 150W

65MHz

The ARF461A and ARF461B comprise a symmetric pair of common drain RF power transistors designed for push-

pull scientiﬁc, commercial, medical and industrial RF power ampliﬁer applications up to 65 MHz. They have been

optimized for both linear and high efﬁciency classes of operation.

• Speciﬁed 250 Volt, 40.68 MHz Characteristics:

• Low Cost Common Source RF Package.

• Low Vth thermal coefﬁcient.

•

Output Power = 150 Watts.

Gain = 13dB (Class AB)

Efﬁciency = 75% (Class C)

• Low Thermal Resistance.

• Optimized SOA for Superior Ruggedness.

• RoHS Compliant

MAXIMUM RATINGS

All Ratings: T = 25°C unless otherwise speciﬁed.

Symbol

Parameter

ARF461AG/BG

Unit

V_DSS

Drain-Source Voltage

1000

6.5

V_DGO

I_D

Drain-Gate Voltage

Continuous Drain Current @ T_C= 25°C

Gate-Source Voltage

V_GS

P_D

±30

Total Power Dissipation @ T_C= 25°C

Junction to Case

250

R_θ

0.50

°C/W

T_J, T_STG

T_L

Operating and Storage Junction Temperature Range

Lead Temperature: 0.063” from Case for 10 Sec.

-55 to 150

300

°C

STATIC ELECTRICAL CHARACTERISTICS

Symbol

Parameter

Min

Typ

Max

Unit

BV_DSS

Drain-Source Breakdown Voltage (V_GS= 0V, I_D= 250 μA)

On State Drain Voltage ¹(I_D(ON)= 3.25A, V_GS= 10V)

Zero Gate Voltage Drain Current (V_DS= V_DSS, V_GS= 0V)

Zero Gate Voltage Drain Current (V_DS= 0.8V_DSS, V_GS= 0, T_C= 125°C)

Gate-Source Leakage Current (V_DS= ±30V, V_DS= 0V)

Forward Transconductance (V_DS= 25V, I_D= 3.25A)

Gate Threshold Voltage (V_DS= V_GS, I_D= 50mA)

1000

V_DS(ON)

6.5

I_DSS

μA

250

I_GSS

g_fs

±100

mhos

Volts

V_GS(TH)

CAUTION: These Devices are Sensitive to Electrostatic Discharge. Proper Handling Procedures Should Be Followed.

Microsemi Website - http://www.microsemi.com

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型号	品牌	获取价格	描述	数据表
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ARF461DG	MICROSEMI	获取价格	Power Field-Effect Transistor, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-247AD, ROHS CO
ARF461PBF	INFINEON	获取价格	Data Line Filter, 1 Function(s), 50V, 5A, LEAD FREE, HERMETIC SEALED, WELDED, CERAMIC PACK
ARF462	POSEICO	获取价格	FAST RECOVERY DIODE
ARF462A	ADPOW	获取价格	N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE
ARF462B	ADPOW	获取价格	N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE
ARF462S45	POSEICO	获取价格	FAST RECOVERY DIODE
ARF463	POSEICO	获取价格	FAST RECOVERY DIODE
ARF463A	ADPOW	获取价格	N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE
ARF463A	MICROSEMI	获取价格	RF Power Field-Effect Transistor, 1-Element, Very High Frequency Band, Silicon, N-Channel,

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