ARF460BG

更新时间： 2024-02-27 12:29:42

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美高森美 - MICROSEMI		晶体射频场效应晶体管放大器局域网
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RF POWER MOSFET N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE

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ARF460BG 技术参数

是否无铅：	不含铅	是否Rohs认证：	符合
生命周期：	Active	零件包装代码：	TO-247AD
包装说明：	ROHS COMPLIANT PACKAGE-3	针数：	3
Reach Compliance Code：	compliant	风险等级：	1.19
Is Samacsys：	N	外壳连接：	SOURCE
配置：	SINGLE	最小漏源击穿电压：	500 V
最大漏极电流 (ID)：	14 A	FET 技术：	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
最高频带：	VERY HIGH FREQUENCY BAND	JEDEC-95代码：	TO-247AD
JESD-30 代码：	R-PSFM-T3	JESD-609代码：	e1
湿度敏感等级：	1	元件数量：	1
端子数量：	3	工作模式：	ENHANCEMENT MODE
最高工作温度：	150 °C	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	FLANGE MOUNT
峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED	极性/信道类型：	N-CHANNEL
认证状态：	Not Qualified	表面贴装：	NO
端子面层：	TIN SILVER COPPER	端子形式：	THROUGH-HOLE
端子位置：	SINGLE	处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED
晶体管应用：	AMPLIFIER	晶体管元件材料：	SILICON
Base Number Matches：	1

ARF460BG 数据手册

ARF460A/G

ARF460B/G

125V, 150W, 65MHz

RF POWER MOSFET

N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE

Common

Source

The ARF460A and ARF460B comprise a symmetric pair of common source RF power

transistors designed for push-pull scientiﬁc, commercial, medical and industrial RF power

ampliﬁer applications up to 65MHz. They have been optimized for both linear and high

efﬁciency classes of operation.

• Speciﬁed 125 Volt, 40.68MHz Characteristics:

Output Power = 150 Watts.

• Low Cost Common Source RF Package.

• Low Vth thermal coefﬁcient.

• Low Thermal Resistance.

Gain = 13dB (Class AB)

Efﬁciency = 75% (Class C)

• Optimized SOA for Superior Ruggedness

• RoHS Compliant

Maximum Ratings

All Ratings: T_C=25°C unless otherwise speciﬁed

Symbol

Parameter

ARF460AG/BG

Unit

V_DSS

Drain-Source Voltage

500

V_DGO

I_D

Drain-Gate Voltage

Continuous Drain Current @ T_C= 25°C

Gate-Source Voltage

V_GS

P_D

±30

Total Power Dissipation @ T_C= 25°C

Junction to Case

250

R_θ

0.50

°C/W

T_J, T_STG

T_L

Operating and Storage Junction Temperature Range

Lead Temperature: 0.063” from Case for 10 Sec.

-55 to 150

300

°C

Static Electrical Characteristics

Symbol

Parameter

Min

Typ

Max

Unit

BV_DSS

Drain-Source Breakdown Voltage (V_GS= 0V, I_D= 250 μA)

On State Drain Voltage ¹(I_D(ON)= 7A, V_GS= 10V)

Zero Gate Voltage Drain Current (V_DS= V_DSS, V_GS= 0V)

Zero Gate Voltage Drain Current (V_DS= 0.8V_DSS, V_GS= 0, T_C= 125°C)

Gate-Source Leakage Current (V_DS= ±30V, V_DS= 0V)

Forward Transconductance (V_DS= 25V, I_D= 7A)

Gate Threshold Voltage (V_DS= V_GS, I_D= 50mA)

500

V_DS(ON)

I_DSS

μA

250

±100

I_GSS

g_fs

3.3

5.5

mhos

Volts

V_GS(TH)

CAUTION: These Devices are Sensitive to Electrostatic Discharge. Proper Handling Procedures Should Be Followed.

Microsemi Website - http://www.microsemi.com

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