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ARF449B

更新时间： 2024-02-06 13:02:34
品牌 Logo 应用领域
美高森美 - MICROSEMI 局域网放大器晶体管
页数 文件大小 规格书
4页 48K
描述
RF Power Field-Effect Transistor, 1-Element, Very High Frequency Band, Silicon, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-247AD, TO-247, 3 PIN

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ARF449B 技术参数

是否Rohs认证： 不符合生命周期：Transferred
包装说明：FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3Reach Compliance Code：unknown
风险等级：5.74其他特性：HIGH RELIABILITY
外壳连接：SOURCE配置：SINGLE
最小漏源击穿电压：450 V最大漏极电流 (Abs) (ID)：10 A
最大漏极电流 (ID)：9 AFET 技术：METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
最高频带：VERY HIGH FREQUENCY BANDJEDEC-95代码：TO-247AD
JESD-30 代码：R-PSFM-T3JESD-609代码：e0
元件数量：1端子数量：3
工作模式：ENHANCEMENT MODE最高工作温度：150 °C
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装形状：RECTANGULAR
封装形式：FLANGE MOUNT极性/信道类型：N-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs)：165 W认证状态：Not Qualified
子类别：FET General Purpose Power表面贴装：NO
端子面层：Tin/Lead (Sn/Pb)端子形式：THROUGH-HOLE
端子位置：SINGLE晶体管应用：AMPLIFIER
晶体管元件材料：SILICONBase Number Matches：1

ARF449B 数据手册

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D
S
ARF449A  
ARF449B  
G
TO-247  
Common  
Source  
RF POWER MOSFETs  
N-CHANNELENHANCEMENTMODE  
150V  
90W 120MHz  
The ARF449A and ARF449B comprise a symmetric pair of common source RF power transistors designed for push-  
pull scientific, commercial, medical and industrial RF power amplifier applications up to 120 MHz.  
• Low Cost Common Source RF Package.  
• Very High Breakdown for Improved Ruggedness.  
• Low Thermal Resistance.  
• Specified 150 Volt, 81.36 MHz Characteristics:  
•
•
•
Output Power = 90 Watts.  
Gain = 13dB (Class C)  
Efficiency = 75%  
• Nitride Passivated Die for Improved Reliability.  
MAXIMUM RATINGS  
Symbol Parameter  
All Ratings: T = 25°C unless otherwise specified.  
C
ARF449A/449B  
UNIT  
VDSS  
VDGO  
ID  
Drain-Source Voltage  
450  
450  
Volts  
Drain-Gate Voltage  
Continuous Drain Current @ TC = 25°C  
Gate-Source Voltage  
9
Amps  
Volts  
Watts  
°C/W  
VGS  
±30  
PD  
Total Power Dissipation @ TC = 25°C  
Junction to Case  
165  
RθJC  
TJ,TSTG  
TL  
0.76  
-55 to 150  
300  
Operating and Storage Junction Temperature Range  
Lead Temperature: 0.063" from Case for 10 Sec.  
°C  
STATIC ELECTRICAL CHARACTERISTICS  
Characteristic / Test Conditions  
UNIT  
Symbol  
BVDSS  
MIN  
TYP  
MAX  
Drain-Source Breakdown Voltage (VGS = 0V, ID = 250 µA)  
450  
Volts  
1
VDS(ON)  
On State Drain Voltage (ID(ON) = 5A, VGS = 10V)  
4
Zero Gate Voltage Drain Current (VDS = VDSS, VGS = 0V)  
Zero Gate Voltage Drain Current (VDS = 0.8 VDSS, VGS = 0V, TC = 125°C)  
Gate-Source Leakage Current (VGS = ±30V, VDS = 0V)  
Forward Transconductance (VDS = 25V, ID = 5A)  
25  
IDSS  
µA  
250  
±100  
IGSS  
gfs  
nA  
3
2
5.8  
mhos  
Volts  
VGS(TH)  
Gate Threshold Voltage (VDS = VGS, ID = 50mA)  
5
CAUTION: These Devices are Sensitive to Electrostatic Discharge. Proper Handling Procedures Should Be Followed.  
APT Website - http://www.advancedpower.com  
1234

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型号 品牌 描述 获取价格 数据表
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