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APTGLQ50H65T1G

更新时间： 2024-11-24 14:50:55
品牌 Logo 应用领域
美高森美 - MICROSEMI 局域网电动机控制栅晶体管
页数 文件大小 规格书
6页 475K
描述
Insulated Gate Bipolar Transistor

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APTGLQ50H65T1G 技术参数

是否Rohs认证： 符合生命周期：Active
包装说明：FLANGE MOUNT, R-XUFM-X12Reach Compliance Code：compliant
风险等级：5.63外壳连接：ISOLATED
最大集电极电流 (IC)：70 A集电极-发射极最大电压：650 V
配置：COMPLEX门极发射器阈值电压最大值：5.6 V
门极-发射极最大电压：20 VJESD-30 代码：R-XUFM-X12
元件数量：4端子数量：12
最高工作温度：150 °C最低工作温度：-40 °C
封装主体材料：UNSPECIFIED封装形状：RECTANGULAR
封装形式：FLANGE MOUNT极性/信道类型：N-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs)：175 W表面贴装：NO
端子形式：UNSPECIFIED端子位置：UPPER
晶体管应用：MOTOR CONTROL晶体管元件材料：SILICON
标称断开时间 (toff)：249 ns标称接通时间 (ton)：48 ns
VCEsat-Max：2.3 VBase Number Matches：1

APTGLQ50H65T1G 数据手册

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APTGLQ50H65T1G  
Full bridge  
High speed Trench + Field Stop IGBT4  
Power Module  
VCES = 650V  
IC = 50A @ Tc = 60°C  
3
4
Application  
•
•
•
•
Welding converters  
Q3  
Switched Mode Power Supplies  
Uninterruptible Power Supplies  
Motor control  
Q1  
Q2  
CR1  
6
CR3  
1
2
9
5
7
Features  
Q4  
•
High speed Trench + Field Stop IGBT 4 Technology  
CR2 CR4  
-
-
-
Low voltage drop  
Low leakage current  
Low switching losses  
•
•
Very low stray inductance  
Internal thermistor for temperature monitoring  
8
10  
Benefits  
12  
NTC  
11  
•
•
•
•
Outstanding performance at high frequency operation  
Direct mounting to heatsink (isolated package)  
Low junction to case thermal resistance  
Solderable terminals both for power and signal for easy  
PCB mounting  
•
•
Low profile  
RoHS compliant  
Pins 3/4 must be shorted together  
All ratings @ Tj = 25°C unless otherwise specified  
Absolute maximum ratings (per IGBT)  
Symbol  
Parameter  
Collector - Emitter Voltage  
Max ratings  
Unit  
V
VCES  
650  
70  
50  
140  
±20  
175  
TC = 25°C  
TC = 60°C  
TC = 25°C  
IC  
Continuous Collector Current  
A
ICM  
VGE  
PD  
Pulsed Collector Current  
Gate – Emitter Voltage  
Power Dissipation  
V
W
These Devices are sensitive to Electrostatic Discharge. Proper Handling Procedures Should Be Followed.  
1 - 6  
www.microsemi.com  
123456

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与APTGLQ50H65T1G相关器件

型号 品牌 获取价格 描述 数据表
APTGLQ50H65T1G-Module MICROCHIP

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 		Insulated Gate Bipolar Transistor
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 		Insulated Gate Bipolar Transistor, 150A I(C), 600V V(BR)CES

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