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| 是否无铅： | 含铅 | 是否Rohs认证： | 不符合 |
| 生命周期： | Obsolete | 零件包装代码： | MODULE |
| 包装说明： | FLANGE MOUNT, R-XUFM-X24 | 针数： | 24 |
| Reach Compliance Code： | compliant | 风险等级： | 5.16 |
| 其他特性： | LOW CONDUCTION LOSS | 外壳连接： | ISOLATED |
| 最大集电极电流 (IC)： | 20 A | 集电极-发射极最大电压： | 1200 V |
| 配置： | COMPLEX | JESD-30 代码： | R-XUFM-X24 |
| JESD-609代码： | e0 | 元件数量： | 7 |
| 端子数量： | 24 | 最高工作温度： | 150 °C |
| 封装主体材料： | UNSPECIFIED | 封装形状： | RECTANGULAR |
| 封装形式： | FLANGE MOUNT | 峰值回流温度（摄氏度）： | NOT SPECIFIED |
| 极性/信道类型： | N-CHANNEL | 认证状态： | Not Qualified |
| 表面贴装： | NO | 端子面层： | TIN LEAD |
| 端子形式： | UNSPECIFIED | 端子位置： | UPPER |
| 处于峰值回流温度下的最长时间： | NOT SPECIFIED | 晶体管应用： | MOTOR CONTROL |
| 晶体管元件材料： | SILICON | 标称断开时间 (toff)： | 345 ns |
| 标称接通时间 (ton)： | 85 ns | Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| APTGS10X120BTP2G | MICROSEMI |
获取价格 |
Insulated Gate Bipolar Transistor, 20A I(C), 1200V V(BR)CES, N-Channel, MODULE-24 |
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| APTGS10X120RTP2 | MICROSEMI |
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Insulated Gate Bipolar Transistor, 20A I(C), 1200V V(BR)CES, N-Channel, MODULE-24 |
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| APTGS10X120RTP2 | ADPOW |
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Input rectifier bridge + Brake + 3 Phase Bridge NPT IGBT Power Module |
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| APTGS10X120RTP2G | MICROSEMI |
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Insulated Gate Bipolar Transistor, 20A I(C), 1200V V(BR)CES, N-Channel, MODULE-24 |
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| APTGS15X120BTP2 | ADPOW |
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Input rectifier bridge + Brake + 3 Phase Bridge NPT IGBT Power Module |
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| APTGS15X120BTP2 | MICROSEMI |
获取价格 |
Insulated Gate Bipolar Transistor, 20A I(C), 1200V V(BR)CES, N-Channel, MODULE-24 |
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| APTGS15X120BTP2G | MICROSEMI |
获取价格 |
Insulated Gate Bipolar Transistor, 20A I(C), 1200V V(BR)CES, N-Channel, MODULE-24 |
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| APTGS15X120RTP2 | ADPOW |
获取价格 |
Input rectifier bridge + Brake + 3 Phase Bridge NPT IGBT Power Module |
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| APTGS15X120RTP2 | MICROSEMI |
获取价格 |
Insulated Gate Bipolar Transistor, 20A I(C), 1200V V(BR)CES, N-Channel, MODULE-24 |
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| APTGS15X120RTP2G | MICROSEMI |
获取价格 |
Insulated Gate Bipolar Transistor |
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