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APTGS10X120RTP2

更新时间： 2024-11-24 20:22:55
品牌 Logo 应用领域
美高森美 - MICROSEMI 局域网电动机控制栅瞄准线晶体管
页数 文件大小 规格书
4页 241K
描述
Insulated Gate Bipolar Transistor, 20A I(C), 1200V V(BR)CES, N-Channel, MODULE-24

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APTGS10X120RTP2 技术参数

是否无铅： 含铅是否Rohs认证： 不符合
生命周期：Active零件包装代码：MODULE
包装说明：FLANGE MOUNT, R-XUFM-X24针数：24
Reach Compliance Code：compliant风险等级：5.07
Is Samacsys：N其他特性：LOW CONDUCTION LOSS
外壳连接：ISOLATED最大集电极电流 (IC)：20 A
集电极-发射极最大电压：1200 V配置：COMPLEX
JESD-30 代码：R-XUFM-X24JESD-609代码：e0
元件数量：7端子数量：24
最高工作温度：150 °C封装主体材料：UNSPECIFIED
封装形状：RECTANGULAR封装形式：FLANGE MOUNT
峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED极性/信道类型：N-CHANNEL
认证状态：Not Qualified表面贴装：NO
端子面层：TIN LEAD端子形式：UNSPECIFIED
端子位置：UPPER处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED
晶体管应用：MOTOR CONTROL晶体管元件材料：SILICON
标称断开时间 (toff)：345 ns标称接通时间 (ton)：85 ns
Base Number Matches：1

APTGS10X120RTP2 数据手册

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APTGS10X120RTP2  
APTGS10X120BTP2  
Input rectifier bridge +  
Brake + 3 Phase Bridge  
NPT IGBT Power Module  
VCES = 1200V  
IC = 10A @ Tc = 80°C  
Application  
•
Features  
•
AC Motor control  
Non Punch Through (NPT) Low Loss IGBT®  
-
-
-
-
-
-
-
-
Low voltage drop  
Low tail current  
Switching frequency up to 20 kHz  
Soft recovery parallel diodes  
Low diode VF  
Low leakage current  
Avalanche energy rated  
RBSOA and SCSOA rated  
•
•
•
Very low stray inductance  
High level of integration  
Internal thermistor for temperature monitoring  
Benefits  
APTGS10X120RTP2: Without Brake (Pin 7 & 14 not connected)  
•
•
•
•
•
•
•
•
Low conduction losses  
Stable temperature behavior  
Very rugged  
Solderable terminals for easy PCB mounting  
Direct mounting to heatsink (isolated package)  
Low junction to case thermal resistance  
Easy paralleling due to positive TC of VCEsat  
Low profile  
14  
20 19 18 17 16 15  
13 12 11 10  
21  
22  
9
8
7
23  
24  
1
2
3
4
5
6
All ratings @ Tj = 25°C unless otherwise specified  
1. Absolute maximum ratings  
Diode rectifier Absolute maximum ratings  
Symbol  
VRRM  
ID  
Parameter  
Max ratings  
1600  
Unit  
V
Repetitive Peak Reverse Voltage  
DC Forward Current  
TC = 80°C  
Tj = 25°C  
Tj = 150°C  
10  
300  
230  
A
IFSM  
Surge Forward Current  
tp = 10ms  
These Devices are sensitive to Electrostatic Discharge. Proper Handing Procedures Should Be Followed.  
1 - 4  
APT website – http://www.advancedpower.com  
1234

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与APTGS10X120RTP2相关器件

型号 品牌 获取价格 描述 数据表
APTGS10X120RTP2G MICROSEMI

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 		Insulated Gate Bipolar Transistor, 20A I(C), 1200V V(BR)CES, N-Channel, MODULE-24
APTGS15X120BTP2 ADPOW

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