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| 生命周期： | Transferred | 包装说明： | FLANGE MOUNT, R-XUFM-X17 |
| Reach Compliance Code： | unknown | 风险等级： | 5.63 |
| Is Samacsys： | N | 外壳连接： | ISOLATED |
| 最大集电极电流 (IC)： | 100 A | 集电极-发射极最大电压： | 1700 V |
| 配置： | BRIDGE, 6 ELEMENTS WITH BUILT-IN DIODE | JESD-30 代码： | R-XUFM-X17 |
| 元件数量： | 6 | 端子数量： | 17 |
| 封装主体材料： | UNSPECIFIED | 封装形状： | RECTANGULAR |
| 封装形式： | FLANGE MOUNT | 极性/信道类型： | N-CHANNEL |
| 认证状态： | Not Qualified | 表面贴装： | NO |
| 端子形式： | UNSPECIFIED | 端子位置： | UPPER |
| 晶体管应用： | MOTOR CONTROL | 晶体管元件材料： | SILICON |
| 标称断开时间 (toff)： | 930 ns | 标称接通时间 (ton)： | 200 ns |
| Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| APTGS50X170E3 | ADPOW |
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3 Phase bridge NPT IGBT Power Module |
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| APTGS50X170E3 | MICROSEMI |
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Insulated Gate Bipolar Transistor, 100A I(C), 1700V V(BR)CES, N-Channel, MODULE-33 |
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| APTGS50X170E3G | MICROSEMI |
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Insulated Gate Bipolar Transistor, 100A I(C), 1700V V(BR)CES, N-Channel, MODULE-33 |
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| APTGS50X170TE3 | ADPOW |
获取价格 |
3 Phase bridge NPT IGBT Power Module |
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| APTGS50X170TE3 | MICROSEMI |
获取价格 |
Insulated Gate Bipolar Transistor, 100A I(C), 1700V V(BR)CES, N-Channel, MODULE-35 |
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| APTGS50X170TE3G | MICROSEMI |
获取价格 |
Insulated Gate Bipolar Transistor, 100A I(C), 1700V V(BR)CES, N-Channel, MODULE-35 |
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| APTGS75X170E3 | ADPOW |
获取价格 |
3 Phase bridge NPT IGBT Power Module |
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| APTGS75X170TE3 | ADPOW |
获取价格 |
3 Phase bridge NPT IGBT Power Module |
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| APTGT100A120D1 | ADPOW |
获取价格 |
Phase leg Trench IGBT Power Module |
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| APTGT100A120D1G | MICROSEMI |
获取价格 |
Phase Leg Trench + Field Stop IGBT Power Module |
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