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APTGS50X170E3G

更新时间： 2024-11-24 14:50:03
品牌 Logo 应用领域
美高森美 - MICROSEMI 局域网电动机控制栅晶体管
页数 文件大小 规格书
3页 210K
描述
Insulated Gate Bipolar Transistor, 100A I(C), 1700V V(BR)CES, N-Channel, MODULE-33

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APTGS50X170E3G 技术参数

是否无铅： 不含铅是否Rohs认证： 符合
生命周期：Active零件包装代码：MODULE
包装说明：FLANGE MOUNT, R-XUFM-X33针数：33
Reach Compliance Code：compliant风险等级：5.16
外壳连接：ISOLATED最大集电极电流 (IC)：100 A
集电极-发射极最大电压：1700 V配置：BRIDGE, 6 ELEMENTS WITH BUILT-IN DIODE
JESD-30 代码：R-XUFM-X33JESD-609代码：e1
元件数量：6端子数量：33
最高工作温度：150 °C封装主体材料：UNSPECIFIED
封装形状：RECTANGULAR封装形式：FLANGE MOUNT
峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED极性/信道类型：N-CHANNEL
认证状态：Not Qualified表面贴装：NO
端子面层：TIN SILVER COPPER端子形式：UNSPECIFIED
端子位置：UPPER处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED
晶体管应用：MOTOR CONTROL晶体管元件材料：SILICON
标称断开时间 (toff)：930 ns标称接通时间 (ton)：200 ns
Base Number Matches：1

APTGS50X170E3G 数据手册

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APTGS50X170E3  
VCES = 1700V  
IC = 50A @ Tc = 80°C  
3 Phase bridge  
NPT IGBT Power Module  
Application  
•
Features  
•
AC Motor control  
Non Punch Through (NPT) Low Loss IGBT®  
-
-
-
-
-
-
-
-
Low voltage drop  
Low tail current  
Switching frequency up to 20 kHz  
Soft recovery parallel diodes  
Low diode VF  
Low leakage current  
Avalanche energy rated  
RBSOA and SCSOA rated  
•
•
•
Kelvin emitter for easy drive  
Very low stray inductance  
High level of integration  
19  
17  
15  
Benefits  
•
•
•
•
•
•
•
Stable temperature behavior  
Very rugged  
20  
21  
14  
13  
Solderable terminals for easy PCB mounting  
Direct mounting to heatsink (isolated package)  
Low junction to case thermal resistance  
Easy paralleling due to positive TC of VCEsat  
Low profile  
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10  
11 12  
Absolute maximum ratings  
Symbol  
Parameter  
Max ratings  
Unit  
VCES  
Collector - Emitter Breakdown Voltage  
1700  
100  
50  
150  
±20  
480  
V
TC = 25°C  
TC = 80°C  
TC = 25°C  
IC  
Continuous Collector Current  
A
ICM  
VGE  
PD  
Pulsed Collector Current  
Gate – Emitter Voltage  
Maximum Power Dissipation  
V
W
TC = 25°C  
Tj = 125°C  
RBSOA Reverse Bias Operating Area  
100A@1600V  
These Devices are sensitive to Electrostatic Discharge. Proper Handing Procedures Should Be Followed.  
1 - 3  
APT website – http://www.advancedpower.com  
123

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型号 品牌 获取价格 描述 数据表
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 		Configuration: Phase legVCES (V): 1200VCESat (V): 1.7Current (A) Tc=80C: 100Silicon type:

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