5秒后页面跳转
| 生命周期： | Transferred | 包装说明： | FLANGE MOUNT, R-XUFM-X7 |
| Reach Compliance Code： | unknown | 风险等级： | 5.68 |
| 外壳连接： | ISOLATED | 最大集电极电流 (IC)： | 200 A |
| 集电极-发射极最大电压： | 1700 V | 配置： | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE |
| JESD-30 代码： | R-XUFM-X7 | 元件数量： | 1 |
| 端子数量： | 7 | 封装主体材料： | UNSPECIFIED |
| 封装形状： | RECTANGULAR | 封装形式： | FLANGE MOUNT |
| 极性/信道类型： | N-CHANNEL | 认证状态： | Not Qualified |
| 表面贴装： | NO | 端子形式： | UNSPECIFIED |
| 端子位置： | UPPER | 晶体管应用： | MOTOR CONTROL |
| 晶体管元件材料： | SILICON | 标称断开时间 (toff)： | 1200 ns |
| 标称接通时间 (ton)： | 400 ns | Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| APTGT100DA170D1G | MICROSEMI |
获取价格 |
Insulated Gate Bipolar Transistor, 200A I(C), 1700V V(BR)CES, N-Channel, MODULE-7 |
|
| APTGT100DA170T | ADPOW |
获取价格 |
Boost chopper Trench + Field Stop IGBT Power Module |
|
| APTGT100DA170TG | MICROSEMI |
获取价格 |
Boost chopper Trench + Field Stop IGBT Power Module |
|
| APTGT100DA60T1G | MICROSEMI |
获取价格 |
Boost chopper Trench + Field Stop IGBT? Power Module |
|
| APTGT100DA60T1G-Module | MICROCHIP |
获取价格 |
Configuration: Boost chopperVCES (V): 600VCESat (V): 1.5Current (A) Tc=80C: 100Silicon typ |
|
| APTGT100DA60T3AG | MICROSEMI |
获取价格 |
Boost chopper Trench + Field Stop IGBT Power Module |
|
| APTGT100DA60TG | MICROSEMI |
获取价格 |
Boost chopper Trench + Field Stop IGBT Power Module |
|
| APTGT100DDA60T3 | ADPOW |
获取价格 |
Dual Boost chopper Trench + Field Stop IGBT Power Module |
|
| APTGT100DDA60T3G | MICROSEMI |
获取价格 |
Dual Boost chopper Trench + Field Stop IGBT Power Module |
|
| APTGT100DH120TG | ADPOW |
获取价格 |
Asymmetrical - Bridge Fast Trench + Field Stop IGBT Power Module |
|
解析光耦仿真器：升级光耦合器技术的必要性
英伟达新一代Blackwell GPU过热问题致交付延迟
国产厂商思特威CMOS图像传感器芯片单月出货超1亿颗，技术创新引领行业发展
台积电5nm和3nm产能利用率达100%，半导体行业景气度持续攀升
工作时间：9:00-21:00
CEO邮箱：ceo@jiepei.com
投诉邮箱：tousu@jiepei.com
微信公众号
抖音公众号
浙公网安备 33010502006866号 浙ICP备10014259号-119
营业执照ICP证
技术参数
数据手册
如果您发现信息不准确，
