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APTGLQ80HR120CT3G

更新时间： 2024-11-24 18:58:39

品牌	Logo	应用领域
美高森美 - MICROSEMI		栅
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9页	676K
描述
Insulated Gate Bipolar Transistor, 150A I(C), 600V V(BR)CES

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APTGLQ80HR120CT3G 技术参数

是否Rohs认证：	符合	生命周期：	Active
Reach Compliance Code：	compliant	风险等级：	5.71
最大集电极电流 (IC)：	150 A	集电极-发射极最大电压：	600 V
门极-发射极最大电压：	20 V	元件数量：	1
最高工作温度：	175 °C	最大功率耗散 (Abs)：	500 W
子类别：	Insulated Gate BIP Transistors	VCEsat-Max：	2.4 V
Base Number Matches：	1

APTGLQ80HR120CT3G 数据手册

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APTGLQ80HR120CT3G

High speed Trench & Field Stop IGBT4

(Q1, Q2):

V_CES= 1200V ; I_C= 80A @ Tc = 80°C

Phase Leg & Dual Common Emitter

Power Module

Trench & Field Stop IGBT3 (Q3, Q4):

Application

•

Uninterruptible Power Supplies

Features

•

Q1, Q2 High speed Trench + field Stop IGBT4

- Low voltage drop

- Low tail current

•

Q3, Q4 Trench + field Stop IGBT3

- Low voltage drop

- Low tail current

- Switching frequency up to 20 kHz

SiC Schottky Diode (D3, D4)

Zero reverse recovery

Zero forward recovery

Temperature Independent switching behavior

Positive temperature coefficient on VF

•

Kelvin emitter for easy drive

Very low stray inductance

High level of integration

Internal thermistor for temperature monitoring

Benefits

•

Stable temperature behavior

Very rugged

Solderable terminals for easy PCB mounting

Direct mounting to heatsink (isolated package)

Low junction to case thermal resistance

Easy paralleling due to positive T_Cof V_CEsat

Low profile

RoHS Compliant

All multiple inputs and outputs must be shorted together

10/11 ; 23/24 ; 2/3 ; …

All ratings @ T_j= 25°C unless otherwise specified

These Devices are sensitive to Electrostatic Discharge. Proper Handing Procedures Should Be Followed.

See application note APT0502 on www.microsemi.com

1 - 9

www.microsemi.com

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型号	品牌	获取价格	描述	数据表
APTGLQ80HR120CT3G-Module	MICROCHIP	获取价格	IGBT 4 fast Low voltage dropLow tail currentLow leakage currentKelvin emitter for easy dri
APTGS10X120BTP2	MICROSEMI	获取价格	Insulated Gate Bipolar Transistor, 20A I(C), 1200V V(BR)CES, N-Channel, MODULE-24
APTGS10X120BTP2	ADPOW	获取价格	Input rectifier bridge + Brake + 3 Phase Bridge NPT IGBT Power Module
APTGS10X120BTP2G	MICROSEMI	获取价格	Insulated Gate Bipolar Transistor, 20A I(C), 1200V V(BR)CES, N-Channel, MODULE-24
APTGS10X120RTP2	MICROSEMI	获取价格	Insulated Gate Bipolar Transistor, 20A I(C), 1200V V(BR)CES, N-Channel, MODULE-24
APTGS10X120RTP2	ADPOW	获取价格	Input rectifier bridge + Brake + 3 Phase Bridge NPT IGBT Power Module
APTGS10X120RTP2G	MICROSEMI	获取价格	Insulated Gate Bipolar Transistor, 20A I(C), 1200V V(BR)CES, N-Channel, MODULE-24
APTGS15X120BTP2	ADPOW	获取价格	Input rectifier bridge + Brake + 3 Phase Bridge NPT IGBT Power Module
APTGS15X120BTP2	MICROSEMI	获取价格	Insulated Gate Bipolar Transistor, 20A I(C), 1200V V(BR)CES, N-Channel, MODULE-24
APTGS15X120BTP2G	MICROSEMI	获取价格	Insulated Gate Bipolar Transistor, 20A I(C), 1200V V(BR)CES, N-Channel, MODULE-24

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