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| 是否Rohs认证： | 符合 | 生命周期： | Active |
| 包装说明： | FLANGE MOUNT, R-XUFM-X25 | Reach Compliance Code： | compliant |
| 风险等级： | 5.68 | 外壳连接： | ISOLATED |
| 最大集电极电流 (IC)： | 70 A | 集电极-发射极最大电压： | 650 V |
| 配置： | SEPARATE, 2 ELEMENTS WITH BUILT-IN DIODE AND THERMISTOR | 门极发射器阈值电压最大值： | 5.6 V |
| 门极-发射极最大电压： | 20 V | JESD-30 代码： | R-XUFM-X25 |
| 元件数量： | 2 | 端子数量： | 25 |
| 最高工作温度： | 150 °C | 最低工作温度： | -40 °C |
| 封装主体材料： | UNSPECIFIED | 封装形状： | RECTANGULAR |
| 封装形式： | FLANGE MOUNT | 极性/信道类型： | N-CHANNEL |
| 最大功率耗散 (Abs)： | 175 W | 表面贴装： | NO |
| 端子形式： | UNSPECIFIED | 端子位置： | UPPER |
| 晶体管应用： | MOTOR CONTROL | 晶体管元件材料： | SILICON |
| 标称断开时间 (toff)： | 249 ns | 标称接通时间 (ton)： | 48 ns |
| VCEsat-Max： | 2.3 V | Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| APTGLQ50VDA65T3G-Module | MICROCHIP |
获取价格 |
IGBT 3 fastLow voltage dropLow leakage currentLow switching lossesKelvin emitter for easy |
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| APTGLQ600A65T6G-Module | MICROCHIP |
获取价格 |
IGBT 4 fast Low voltage dropLow tail currentLow leakage currentKelvin emitter for easy dri |
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| APTGLQ75H120T3G-Module | MICROCHIP |
获取价格 |
IGBT 4 fast Low voltage dropLow tail currentLow leakage currentKelvin emitter for easy dri |
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| APTGLQ75H120TG-Module | MICROCHIP |
获取价格 |
IGBT 4 fast Low voltage dropLow tail currentLow leakage currentKelvin emitter for easy dri |
|
| APTGLQ75H65T1G-Module | MICROCHIP |
获取价格 |
IGBT 4 fast Low voltage dropLow tail currentLow leakage currentKelvin emitter for easy dri |
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| APTGLQ80HR120CT3G | MICROSEMI |
获取价格 |
Insulated Gate Bipolar Transistor, 150A I(C), 600V V(BR)CES |
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| APTGLQ80HR120CT3G-Module | MICROCHIP |
获取价格 |
IGBT 4 fast Low voltage dropLow tail currentLow leakage currentKelvin emitter for easy dri |
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| APTGS10X120BTP2 | MICROSEMI |
获取价格 |
Insulated Gate Bipolar Transistor, 20A I(C), 1200V V(BR)CES, N-Channel, MODULE-24 |
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| APTGS10X120BTP2 | ADPOW |
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Input rectifier bridge + Brake + 3 Phase Bridge NPT IGBT Power Module |
|
| APTGS10X120BTP2G | MICROSEMI |
获取价格 |
Insulated Gate Bipolar Transistor, 20A I(C), 1200V V(BR)CES, N-Channel, MODULE-24 |
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