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APTGLQ400A120T6G

更新时间： 2024-11-24 13:42:11
品牌 Logo 应用领域
美高森美 - MICROSEMI 栅
页数 文件大小 规格书
6页 523K
描述
Insulated Gate Bipolar Transistor, 625A I(C), 1200V V(BR)CES

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APTGLQ400A120T6G 技术参数

是否Rohs认证： 符合生命周期：Active
Reach Compliance Code：compliantECCN代码：EAR99
风险等级：5.72最大集电极电流 (IC)：625 A
集电极-发射极最大电压：1200 V门极-发射极最大电压：20 V
元件数量：1最高工作温度：175 °C
最大功率耗散 (Abs)：1900 W子类别：Insulated Gate BIP Transistors
VCEsat-Max：2.4 VBase Number Matches：1

APTGLQ400A120T6G 数据手册

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APTGLQ400A120T6G  
Phase leg  
High speed Trench + Field Stop IGBT4  
Power module  
VCES = 1200V  
IC = 400A @ Tc = 80°C  
Application  
•
•
•
•
Welding converters  
VBUS  
Switched Mode Power Supplies  
Uninterruptible Power Supplies  
Motor control  
Q1  
G1  
E1  
Features  
OUT  
•
High speed Trench + Field Stop IGBT 4 Technology  
-
-
-
-
-
-
Low voltage drop  
Q2  
Low leakage current  
Low switching losses  
Soft recovery parallel diodes  
Low diode VF  
G2  
E2  
RBSOA and SCSOA rated  
0/VBUS  
•
•
•
•
•
Kelvin source for easy drive  
Very low stray inductance  
M5 power connectors  
High level of integration  
Internal thermistor for temperature monitoring  
Benefits  
•
•
•
•
•
•
•
Stable temperature behavior  
Very rugged  
Direct mounting to heatsink (isolated package)  
Low junction to case thermal resistance  
Easy paralleling due to positive TC of VCEsat  
Low profile  
RoHS Compliant  
All ratings @ Tj = 25°C unless otherwise specified  
Absolute maximum ratings (per IGBT)  
Symbol  
Parameter  
Max ratings  
1200  
Unit  
V
VCES  
Collector - Emitter Voltage  
TC = 25°C  
TC = 80°C  
TC = 25°C  
625  
400  
1250  
±20  
IC  
Continuous Collector Current  
A
ICM  
VGE  
Pulsed Collector Current  
Gate – Emitter Voltage  
V
TC = 25°C  
Tj = 125°C  
PD  
Maximum Power Dissipation  
1900  
W
RBSOA Reverse Bias Safe Operating Area  
800A @ 1100V  
These Devices are sensitive to Electrostatic Discharge. Proper Handling Procedures Should Be Followed.  
1 – 6  
www.microsemi.com  
123456

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型号 品牌 获取价格 描述 数据表
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