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APTGF75H120T PDF预览

APTGF75H120T

更新时间： 2024-11-21 19:45:03
品牌 Logo 应用领域
美高森美 - MICROSEMI 局域网栅功率控制晶体管
页数 文件大小 规格书
5页 278K
描述
Insulated Gate Bipolar Transistor, 100A I(C), 1200V V(BR)CES, N-Channel, MODULE-14

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APTGF75H120T 技术参数

是否无铅： 含铅是否Rohs认证： 不符合
生命周期：Obsolete零件包装代码：MODULE
包装说明：MODULE-14针数：14
Reach Compliance Code：unknown风险等级：5.73
外壳连接：ISOLATED最大集电极电流 (IC)：100 A
集电极-发射极最大电压：1200 V配置：BRIDGE, 4 ELEMENTS WITH BUILT-IN DIODE AND THERMISTOR
门极-发射极最大电压：20 VJESD-30 代码：R-XUFM-X14
JESD-609代码：e0元件数量：4
端子数量：14最高工作温度：150 °C
封装主体材料：UNSPECIFIED封装形状：RECTANGULAR
封装形式：FLANGE MOUNT峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED
极性/信道类型：N-CHANNEL最大功率耗散 (Abs)：500 W
认证状态：Not Qualified子类别：Insulated Gate BIP Transistors
表面贴装：NO端子面层：TIN LEAD
端子形式：UNSPECIFIED端子位置：UPPER
处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED晶体管应用：POWER CONTROL
晶体管元件材料：SILICON标称断开时间 (toff)：390 ns
标称接通时间 (ton)：190 nsVCEsat-Max：3.7 V
Base Number Matches：1

APTGF75H120T 数据手册

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APTGF75H120T  
VCES = 1200V  
Full - Bridge  
IC = 75A @ Tc = 80°C  
NPT IGBT Power Module  
Application  
•
•
•
•
Welding converters  
VBUS  
Switched Mode Power Supplies  
Uninterruptible Power Supplies  
Motor control  
Q3  
Q1  
G3  
E3  
G1  
E1  
Features  
•
Non Punch Through (NPT) FAST IGBT  
OUT1  
OUT2  
-
-
-
-
-
-
-
-
Low voltage drop  
Low tail current  
Q2  
Q4  
Switching frequency up to 50 kHz  
Soft recovery parallel diodes  
Low diode VF  
G4  
E4  
G2  
E2  
Low leakage current  
Avalanche energy rated  
RBSOA and SCSOA rated  
NTC1  
NTC2  
0/VBUS  
•
•
Kelvin emitter for easy drive  
Very low stray inductance  
-
-
Symmetrical design  
Lead frames for power connections  
•
•
Internal thermistor for temperature monitoring  
High level of integration  
Benefits  
•
Outstanding performance at high frequency  
operation  
G3  
E3  
G4  
OUT2  
•
•
•
•
•
Stable temperature behavior  
Very rugged  
E4  
OUT1  
Direct mounting to heatsink (isolated package)  
Low junction to case thermal resistance  
Solderable terminals both for power and signal for  
easy PCB mounting  
Easy paralleling due to positive TC of VCEsat  
Low profile  
VBUS  
0/VBUS  
E1  
G1  
E2  
G2  
NTC2  
NTC1  
•
•
Absolute maximum ratings  
Symbol  
Parameter  
Max ratings  
Unit  
VCES  
Collector - Emitter Breakdown Voltage  
1200  
V
Tc = 25°C  
Tc = 80°C  
Tc = 25°C  
100  
75  
150  
±20  
500  
IC  
Continuous Collector Current  
A
ICM  
VGE  
PD  
Pulsed Collector Current  
Gate – Emitter Voltage  
Maximum Power Dissipation  
V
W
Tc = 25°C  
RBSOA Reverse Bias Safe Operating Area  
Tj = 150°C 150A @ 1200V  
These Devices are sensitive to Electrostatic Discharge. Proper Handing Procedures Should Be Followed.  
1 - 5  
APT website – http://www.advancedpower.com  
12345

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