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| 是否无铅： | 含铅 | 是否Rohs认证： | 不符合 |
| 生命周期： | Obsolete | 零件包装代码： | MODULE |
| 包装说明： | MODULE-7 | 针数： | 7 |
| Reach Compliance Code： | unknown | 风险等级： | 5.81 |
| Is Samacsys： | N | 外壳连接： | ISOLATED |
| 最大集电极电流 (IC)： | 100 A | 集电极-发射极最大电压： | 600 V |
| 配置： | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE | JESD-30 代码： | R-XUFM-X7 |
| JESD-609代码： | e0 | 元件数量： | 1 |
| 端子数量： | 7 | 最高工作温度： | 150 °C |
| 封装主体材料： | UNSPECIFIED | 封装形状： | RECTANGULAR |
| 封装形式： | FLANGE MOUNT | 峰值回流温度（摄氏度）： | NOT SPECIFIED |
| 极性/信道类型： | N-CHANNEL | 认证状态： | Not Qualified |
| 表面贴装： | NO | 端子面层： | TIN LEAD |
| 端子形式： | UNSPECIFIED | 端子位置： | UPPER |
| 处于峰值回流温度下的最长时间： | NOT SPECIFIED | 晶体管应用： | POWER CONTROL |
| 晶体管元件材料： | SILICON | 标称断开时间 (toff)： | 205 ns |
| 标称接通时间 (ton)： | 90 ns | Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| APTGF75SK60D1G | MICROSEMI |
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暂无描述 |
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| APTGF90A60T | ADPOW |
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Phase leg NPT IGBT Power Module |
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| APTGF90A60T1G | MICROSEMI |
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Phase leg NPT IGBT Power Module |
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| APTGF90A60T3AG | MICROSEMI |
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Phase leg NPT IGBT Power Module Power Module |
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| APTGF90A60TG | MICROSEMI |
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Phase leg NPT IGBT Power Module |
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| APTGF90DA60CT1G | MICROSEMI |
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Boost chopper NPT IGBT SiC Chopper diode |
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| APTGF90DA60D1 | ADPOW |
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Boost Chopper NPT IGBT Power Module |
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| APTGF90DA60D1G | MICROSEMI |
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Insulated Gate Bipolar Transistor, 130A I(C), 600V V(BR)CES, N-Channel, MODULE-7 |
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| APTGF90DA60T1G | MICROSEMI |
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Boost chopper NPT IGBT Power Module |
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| APTGF90DA60T3AG | MICROSEMI |
获取价格 |
Boost chopper NPT IGBT Power Module Power Module |
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