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Datasheet > 晶体管 > IGBT> APTGF90A60T1G
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APTGF90A60T1G

更新时间： 2024-11-21 06:37:27
品牌 Logo 应用领域
美高森美 - MICROSEMI 晶体晶体管电动机控制双极性晶体管栅局域网
页数 文件大小 规格书
6页 315K
描述
Phase leg NPT IGBT Power Module

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APTGF90A60T1G 技术参数

是否无铅： 不含铅是否Rohs认证： 符合
生命周期：Obsolete包装说明：FLANGE MOUNT, R-XUFM-T12
针数：12Reach Compliance Code：compliant
ECCN代码：EAR99风险等级：5.67
Is Samacsys：N外壳连接：ISOLATED
最大集电极电流 (IC)：110 A集电极-发射极最大电压：600 V
配置：SERIES CONNECTED, CENTER TAP, 2 ELEMENTS WITH BUILT-IN DIODE AND THERMISTOR门极-发射极最大电压：20 V
JESD-30 代码：R-XUFM-T12JESD-609代码：e1
湿度敏感等级：1元件数量：2
端子数量：12最高工作温度：150 °C
封装主体材料：UNSPECIFIED封装形状：RECTANGULAR
封装形式：FLANGE MOUNT峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED
极性/信道类型：N-CHANNEL最大功率耗散 (Abs)：416 W
认证状态：Not Qualified子类别：Insulated Gate BIP Transistors
表面贴装：NO端子面层：TIN SILVER COPPER
端子形式：THROUGH-HOLE端子位置：UPPER
处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED晶体管应用：MOTOR CONTROL
晶体管元件材料：SILICON标称断开时间 (toff)：210 ns
标称接通时间 (ton)：51 nsVCEsat-Max：2.5 V
Base Number Matches：1

APTGF90A60T1G 数据手册

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APTGF90A60T1G  
Phase leg  
VCES = 600V  
IC = 90A @ Tc = 80°C  
NPT IGBT Power Module  
Application  
5
6
11  
•
•
•
•
Welding converters  
Switched Mode Power Supplies  
Uninterruptible Power Supplies  
Motor control  
Q1  
CR1  
CR2  
7
8
Features  
•
Non Punch Through (NPT) Fast IGBT  
3
4
NTC  
-
-
-
-
-
-
-
Low voltage drop  
Q2  
Low tail current  
Switching frequency up to 100 kHz  
Soft recovery parallel diodes  
Low diode VF  
9
Low leakage current  
10  
RBSOA and SCSOA rated  
•
Very low stray inductance  
12  
1
2
-
Symmetrical design  
•
•
Internal thermistor for temperature monitoring  
High level of integration  
Benefits  
•
•
•
•
Outstanding performance at high frequency operation  
Direct mounting to heatsink (isolated package)  
Low junction to case thermal resistance  
Solderable terminals both for power and signal for  
easy PCB mounting  
•
•
Low profile  
RoHS Compliant  
Pins 1/2 ; 3/4 ; 5/6 must be shorted together  
Absolute maximum ratings  
Symbol  
Parameter  
Max ratings  
Unit  
VCES  
Collector - Emitter Breakdown Voltage  
600  
110  
90  
315  
±20  
416  
V
Tc = 25°C  
Tc = 80°C  
Tc = 25°C  
IC  
Continuous Collector Current  
A
ICM  
VGE  
PD  
Pulsed Collector Current  
Gate – Emitter Voltage  
Maximum Power Dissipation  
V
W
Tc = 25°C  
RBSOA Reverse Bias Safe Operating Area  
Tj = 150°C  
200A @ 600V  
These Devices are sensitive to Electrostatic Discharge. Proper Handling Procedures Should Be Followed. See application note  
APT0502 on www.microsemi.com  
1 – 6  
www.microsemi.com  
123456

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