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| 生命周期： | Transferred | 包装说明： | FLANGE MOUNT, R-XUFM-X7 |
| Reach Compliance Code： | unknown | 风险等级： | 5.65 |
| Is Samacsys： | N | 外壳连接： | ISOLATED |
| 最大集电极电流 (IC)： | 130 A | 集电极-发射极最大电压： | 600 V |
| 配置： | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE | JESD-30 代码： | R-XUFM-X7 |
| 元件数量： | 1 | 端子数量： | 7 |
| 封装主体材料： | UNSPECIFIED | 封装形状： | RECTANGULAR |
| 封装形式： | FLANGE MOUNT | 极性/信道类型： | N-CHANNEL |
| 认证状态： | Not Qualified | 表面贴装： | NO |
| 端子形式： | UNSPECIFIED | 端子位置： | UPPER |
| 晶体管应用： | POWER CONTROL | 晶体管元件材料： | SILICON |
| 标称断开时间 (toff)： | 180 ns | 标称接通时间 (ton)： | 37 ns |
| Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| APTGF90DA60D1G | MICROSEMI |
获取价格 |
Insulated Gate Bipolar Transistor, 130A I(C), 600V V(BR)CES, N-Channel, MODULE-7 |
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| APTGF90DA60T1G | MICROSEMI |
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Boost chopper NPT IGBT Power Module |
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| APTGF90DA60T3AG | MICROSEMI |
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Boost chopper NPT IGBT Power Module Power Module |
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| APTGF90DA60TG | MICROSEMI |
获取价格 |
Boost chopper NPT IGBT Power Module |
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| APTGF90DDA60T3G | MICROSEMI |
获取价格 |
Dual Boost chopper NPT IGBT Power Module |
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| APTGF90DH60T3G | MICROSEMI |
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Asymmetrical - Bridge NPT IGBT Power Module |
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| APTGF90DH60TG | MICROSEMI |
获取价格 |
Asymmetrical - Bridge NPT IGBT Power Module |
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| APTGF90DSK60T3G | MICROSEMI |
获取价格 |
Dual Buck chopper NPT IGBT Power Module |
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| APTGF90DU60T | ADPOW |
获取价格 |
Dual common source NPT IGBT Power Module |
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| APTGF90DU60TG | MICROSEMI |
获取价格 |
Dual common source NPT IGBT Power Module |
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