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APTGF75H120TG

更新时间： 2024-11-25 06:37:27
品牌 Logo 应用领域
ADPOW 晶体晶体管功率控制双极性晶体管局域网
页数 文件大小 规格书
5页 284K
描述
Full - Bridge NPT IGBT Power Module

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APTGF75H120TG 技术参数

是否Rohs认证： 符合生命周期：Transferred
包装说明：FLANGE MOUNT, R-XUFM-X14Reach Compliance Code：unknown
风险等级：5.67外壳连接：ISOLATED
最大集电极电流 (IC)：100 A集电极-发射极最大电压：1200 V
配置：BRIDGE, 4 ELEMENTS WITH BUILT-IN DIODE AND THERMISTORJESD-30 代码：R-XUFM-X14
元件数量：4端子数量：14
封装主体材料：UNSPECIFIED封装形状：RECTANGULAR
封装形式：FLANGE MOUNT峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED
极性/信道类型：N-CHANNEL认证状态：Not Qualified
表面贴装：NO端子形式：UNSPECIFIED
端子位置：UPPER处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED
晶体管应用：POWER CONTROL晶体管元件材料：SILICON
标称断开时间 (toff)：390 ns标称接通时间 (ton)：190 ns
Base Number Matches：1

APTGF75H120TG 数据手册

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APTGF75H120TG  
VCES = 1200V  
Full - Bridge  
IC = 75A @ Tc = 80°C  
NPT IGBT Power Module  
Application  
•
•
•
•
Welding converters  
VBUS  
Switched Mode Power Supplies  
Uninterruptible Power Supplies  
Motor control  
Q3  
Q1  
G3  
E3  
G1  
E1  
Features  
•
Non Punch Through (NPT) FAST IGBT  
OUT1  
OUT2  
-
-
-
-
-
-
-
-
Low voltage drop  
Low tail current  
Q2  
Q4  
Switching frequency up to 50 kHz  
Soft recovery parallel diodes  
Low diode VF  
G4  
E4  
G2  
E2  
Low leakage current  
Avalanche energy rated  
RBSOA and SCSOA rated  
NTC1  
NTC2  
0/VBUS  
•
•
Kelvin emitter for easy drive  
Very low stray inductance  
-
-
Symmetrical design  
Lead frames for power connections  
•
•
Internal thermistor for temperature monitoring  
High level of integration  
Benefits  
•
Outstanding performance at high frequency  
operation  
G3  
E3  
G4  
OUT2  
•
•
•
•
•
Stable temperature behavior  
Very rugged  
E4  
OUT1  
Direct mounting to heatsink (isolated package)  
Low junction to case thermal resistance  
Solderable terminals both for power and signal for  
easy PCB mounting  
Easy paralleling due to positive TC of VCEsat  
Low profile  
RoHS compliant  
VBUS  
0/VBUS  
E1  
G1  
E2  
G2  
NTC2  
NTC1  
•
•
•
Absolute maximum ratings  
Symbol  
Parameter  
Max ratings  
Unit  
VCES  
Collector - Emitter Breakdown Voltage  
1200  
V
Tc = 25°C  
Tc = 80°C  
Tc = 25°C  
100  
75  
150  
±20  
500  
IC  
Continuous Collector Current  
A
ICM  
VGE  
PD  
Pulsed Collector Current  
Gate – Emitter Voltage  
Maximum Power Dissipation  
V
W
Tc = 25°C  
RBSOA Reverse Bias Safe Operating Area  
Tj = 150°C 150A @ 1200V  
These Devices are sensitive to Electrostatic Discharge. Proper Handing Procedures Should Be Followed.  
1 - 5  
APT website – http://www.advancedpower.com  
12345

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