5秒后页面跳转
| 是否无铅： | 不含铅 | 是否Rohs认证： | 符合 |
| 生命周期： | Obsolete | 零件包装代码： | MODULE |
| 包装说明： | FLANGE MOUNT, R-XUFM-X14 | 针数： | 14 |
| Reach Compliance Code： | compliant | ECCN代码： | EAR99 |
| 风险等级： | 8.52 | Is Samacsys： | N |
| 外壳连接： | ISOLATED | 最大集电极电流 (IC)： | 100 A |
| 集电极-发射极最大电压： | 1200 V | 配置： | PARALLEL, 2 ELEMENTS WITH BUILT-IN DIODE AND THERMISTOR |
| 门极-发射极最大电压： | 20 V | JESD-30 代码： | R-XUFM-X14 |
| JESD-609代码： | e1 | 湿度敏感等级： | 1 |
| 元件数量： | 2 | 端子数量： | 14 |
| 最高工作温度： | 150 °C | 封装主体材料： | UNSPECIFIED |
| 封装形状： | RECTANGULAR | 封装形式： | FLANGE MOUNT |
| 峰值回流温度（摄氏度）： | NOT SPECIFIED | 极性/信道类型： | N-CHANNEL |
| 最大功率耗散 (Abs)： | 500 W | 认证状态： | Not Qualified |
| 子类别： | Insulated Gate BIP Transistors | 表面贴装： | NO |
| 端子面层： | TIN SILVER COPPER | 端子形式： | UNSPECIFIED |
| 端子位置： | UPPER | 处于峰值回流温度下的最长时间： | NOT SPECIFIED |
| 晶体管应用： | MOTOR CONTROL | 晶体管元件材料： | SILICON |
| 标称断开时间 (toff)： | 390 ns | 标称接通时间 (ton)： | 190 ns |
| VCEsat-Max： | 3.7 V | Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| APTGF75H120T | MICROSEMI |
获取价格 |
Insulated Gate Bipolar Transistor, 100A I(C), 1200V V(BR)CES, N-Channel, MODULE-14 |
|
| APTGF75H120TG | MICROSEMI |
获取价格 |
Full - Bridge NPT IGBT Power Module |
|
| APTGF75H120TG | ADPOW |
获取价格 |
Full - Bridge NPT IGBT Power Module |
|
| APTGF75H120TG_10 | MICROSEMI |
获取价格 |
Full - Bridge NPT IGBT Power Module |
|
| APTGF75SK60D1 | ADPOW |
获取价格 |
Buck chopper NPT IGBT Power Module |
|
| APTGF75SK60D1 | MICROSEMI |
获取价格 |
Buck Chopper NPT IGBT Power Module |
|
| APTGF75SK60D1G | MICROSEMI |
获取价格 |
暂无描述 |
|
| APTGF90A60T | ADPOW |
获取价格 |
Phase leg NPT IGBT Power Module |
|
| APTGF90A60T1G | MICROSEMI |
获取价格 |
Phase leg NPT IGBT Power Module |
|
| APTGF90A60T3AG | MICROSEMI |
获取价格 |
Phase leg NPT IGBT Power Module Power Module |
|
解析光耦仿真器：升级光耦合器技术的必要性
英伟达新一代Blackwell GPU过热问题致交付延迟
国产厂商思特威CMOS图像传感器芯片单月出货超1亿颗，技术创新引领行业发展
台积电5nm和3nm产能利用率达100%，半导体行业景气度持续攀升
工作时间：9:00-21:00
CEO邮箱：ceo@jiepei.com
投诉邮箱：tousu@jiepei.com
微信公众号
抖音公众号
浙公网安备 33010502006866号 浙ICP备10014259号-119
营业执照ICP证
技术参数
数据手册
如果您发现信息不准确，
