APT5010LLL

更新时间： 2024-09-09 22:31:11

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ADPOW		晶体晶体管功率场效应晶体管开关脉冲局域网
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描述
Power MOS 7TM is a new generation of low loss, high voltage, N-Channel enhancement mode power MOSFETS.

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APT5010LLL 技术参数

是否Rohs认证：	不符合	生命周期：	Transferred
包装说明：	FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3	Reach Compliance Code：	unknown
风险等级：	5.69	Is Samacsys：	N
雪崩能效等级（Eas）：	1600 mJ	外壳连接：	DRAIN
配置：	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE	最小漏源击穿电压：	500 V
最大漏极电流 (Abs) (ID)：	46 A	最大漏极电流 (ID)：	46 A
最大漏源导通电阻：	0.1 Ω	FET 技术：	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JEDEC-95代码：	TO-264AA	JESD-30 代码：	R-PSFM-T3
JESD-609代码：	e0	元件数量：	1
端子数量：	3	工作模式：	ENHANCEMENT MODE
最高工作温度：	150 °C	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	FLANGE MOUNT
峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED	极性/信道类型：	N-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs)：	500 W	最大脉冲漏极电流 (IDM)：	184 A
认证状态：	Not Qualified	子类别：	FET General Purpose Power
表面贴装：	NO	端子面层：	Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式：	THROUGH-HOLE	端子位置：	SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED	晶体管应用：	SWITCHING
晶体管元件材料：	SILICON	Base Number Matches：	1

APT5010LLL 数据手册

APT5010B2LL

APT5010LLL

500V 46A 0.100W

B2LL

POWER MOS 7

Power MOS 7^TMis a new generation of low loss, high voltage, N-Channel

enhancement mode power MOSFETS. Both conduction and switching

losses are addressed with Power MOS 7^TMby significantly lowering R_DS(ON)

and Q_g. Power MOS 7^TMcombines lower conduction and switching losses

along with exceptionally fast switching speeds inherent with APT's

patented metal gate structure.

T-MAX™

TO-264

LLL

• Lower Input Capacitance

• Increased Power Dissipation

• Lower Miller Capacitance • Easier To Drive

• Lower Gate Charge, Qg

MAXIMUM RATINGS

Symbol Parameter

• Popular T-MAX™ or TO-264 Package

All Ratings: T = 25°C unless otherwise specified.

APT5010

500

UNIT

V_DSS

I_D

Drain-Source Voltage

Volts

Continuous Drain Current @ T_C= 25°C

Amps

Volts

I_DM

Pulsed Drain Current

184

V_GS

V_GSM

Gate-Source Voltage Continuous

Gate-Source Voltage Transient

±30

±40

Total Power Dissipation @ T_C= 25°C

Linear Derating Factor

500

Watts

W/°C

P_D

4.0

T_J,T_STG

T_L

Operating and Storage Junction Temperature Range

-55 to 150

300

°C

Amps

Lead Temperature: 0.063" from Case for 10 Sec.

I_AR

Avalanche Current

(Repetitive and Non-Repetitive)

E_AR

E_AS

Repetitive Avalanche Energy

Single Pulse Avalanche Energy

1800

STATIC ELECTRICAL CHARACTERISTICS

Symbol Characteristic / Test Conditions

MIN

500

TYP

MAX

UNIT

BV_DSS

I_D(on)

Drain-Source Breakdown Voltage (V_GS= 0V, I_D= 250µA)

Volts

On State Drain Current

(V_DS> I_D(on)x R_DS(on)Max, V_GS= 10V)

Amps

R_DS(on)

Drain-Source On-State Resistance

(V_GS= 10V, 0.5 I_D[Cont.])

Ohms

µA

0.100

Zero Gate Voltage Drain Current (V_DS= V_DSS, V_GS= 0V)

I_DSS

Zero Gate Voltage Drain Current (V_DS= 0.8 V_DSS, V_GS= 0V, T_C= 125°C)

Gate-Source Leakage Current (V_GS= ±30V, V_DS= 0V)

Gate Threshold Voltage (V_DS= V_GS, I_D= 2.5mA)

250

±100

I_GSS

V_GS(th)

Volts

CAUTION: These Devices are Sensitive to Electrostatic Discharge. Proper Handling Procedures Should Be Followed.

APT Website - http://www.advancedpower.com

USA

405 S.W. Columbia Street

Chemin de Magret

Bend, Oregon 97702-1035

F-33700 Merignac - France

Phone: (541) 382-8028

Phone: (33) 5 57 92 15 15

FAX: (541) 388-0364

FAX: (33) 5 56 47 97 61

EUROPE

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