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| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| APT5012LNR | ETC |
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TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 500V V(BR)DSS | 42A I(D) | TO-264AA |
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| APT5012WVR | ADPOW |
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Power MOS V is a new generation of high voltage N-Channel enhancement mode power MOSFETs. |
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| APT5012WVR | MICROSEMI |
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N-CHANNEL MOSFET |
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| APT5013JNF | ETC |
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TRANSISTOR | MOSFET POWER MODULE | INDEPENDENT | 500V V(BR)DSS | 42A I(D) |
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| APT5014 | ADPOW |
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Power MOS 7TM is a new generation of low loss, high voltage, N-Channel enhancement mode po |
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| APT5014B2LC | ADPOW |
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Power MOS VITM is a new generation of low gate charge, high voltage N-Channel enhancement |
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| APT5014B2VFR | ADPOW |
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POWER MOS V FREDFET |
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| APT5014B2VFR | MICROSEMI |
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Power Field-Effect Transistor, 37A I(D), 500V, 0.14ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Met |
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| APT5014B2VFRG | MICROSEMI |
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Power Field-Effect Transistor, 37A I(D), 500V, 0.14ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Met |
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| APT5014B2VR | ADPOW |
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Power MOS V is a new generation of high voltage N-Channel enhancement mode power MOSFETs. |
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