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| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| APT5014SLL | ADPOW |
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Power MOS 7TM is a new generation of low loss, high voltage, N-Channel enhancement mode po |
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| APT5014SLLG | MICROSEMI |
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Power Field-Effect Transistor, 35A I(D), 500V, 0.14ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Met |
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| APT5015 | ADPOW |
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Power MOS V is a new generation of high voltage N-Channel enhancement mode power MOSFETs. |
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| APT5015BLC | ADPOW |
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Power MOS VITM is a new generation of low gate charge, high voltage N-Channel enhancement |
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| APT5015BVFR | ADPOW |
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POWER MOS V FREDFET |
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| APT5015BVFRG | MICROSEMI |
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Power Field-Effect Transistor, 32A I(D), 500V, 0.15ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Met |
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| APT5015BVR | ADPOW |
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Power MOS V is a new generation of high voltage N-Channel enhancement mode power MOSFETs. |
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| APT5015SVFR | ADPOW |
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POWER MOS V FREDFET |
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| APT5015SVFRG | MICROSEMI |
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Power Field-Effect Transistor, 32A I(D), 500V, 0.15ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Met |
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| APT5016 | ADPOW |
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Power MOS 7TM is a new generation of low loss, high voltage, N-Channel enhancement mode po |
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解析光耦仿真器：升级光耦合器技术的必要性
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