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| 生命周期： | Obsolete | 包装说明： | FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3 |
| Reach Compliance Code： | unknown | 风险等级： | 5.66 |
| Is Samacsys： | N | 其他特性： | HIGH VOLTAGE |
| 雪崩能效等级（Eas）： | 1300 mJ | 外壳连接： | DRAIN |
| 配置： | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE | 最小漏源击穿电压： | 500 V |
| 最大漏极电流 (ID)： | 32 A | 最大漏源导通电阻： | 0.15 Ω |
| FET 技术： | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR | JEDEC-95代码： | TO-247 |
| JESD-30 代码： | R-PSFM-T3 | 元件数量： | 1 |
| 端子数量： | 3 | 工作模式： | ENHANCEMENT MODE |
| 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY | 封装形状： | RECTANGULAR |
| 封装形式： | FLANGE MOUNT | 极性/信道类型： | N-CHANNEL |
| 最大脉冲漏极电流 (IDM)： | 128 A | 认证状态： | Not Qualified |
| 表面贴装： | NO | 端子形式： | THROUGH-HOLE |
| 端子位置： | SINGLE | 晶体管应用： | SWITCHING |
| 晶体管元件材料： | SILICON | Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| APT5015BVFR | ADPOW |
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POWER MOS V FREDFET |
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| APT5015BVFRG | MICROSEMI |
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Power Field-Effect Transistor, 32A I(D), 500V, 0.15ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Met |
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| APT5015BVR | ADPOW |
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Power MOS V is a new generation of high voltage N-Channel enhancement mode power MOSFETs. |
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| APT5015SVFR | ADPOW |
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POWER MOS V FREDFET |
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| APT5015SVFRG | MICROSEMI |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, 32A I(D), 500V, 0.15ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Met |
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| APT5016 | ADPOW |
获取价格 |
Power MOS 7TM is a new generation of low loss, high voltage, N-Channel enhancement mode po |
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| APT5016BFLL | ADPOW |
获取价格 |
Power MOS 7TM is a new generation of low loss, high voltage, N-Channel enhancement mode po |
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| APT5016BFLL | MICROSEMI |
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POWER MOS 7 R FREDFET |
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| APT5016BFLL_04 | ADPOW |
获取价格 |
POWER MOS 7 FREDFET |
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| APT5016BFLLG | MICROSEMI |
获取价格 |
POWER MOS 7 R FREDFET |
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