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| 是否无铅： | 含铅 | 是否Rohs认证： | 不符合 |
| 生命周期： | Active | 包装说明： | SMALL OUTLINE, R-PSSO-G2 |
| 针数： | 3 | Reach Compliance Code： | compliant |
| 风险等级： | 5.16 | 雪崩能效等级（Eas）： | 1300 mJ |
| 外壳连接： | DRAIN | 配置： | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE |
| 最小漏源击穿电压： | 500 V | 最大漏极电流 (Abs) (ID)： | 30 A |
| 最大漏极电流 (ID)： | 30 A | 最大漏源导通电阻： | 0.16 Ω |
| FET 技术： | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR | JESD-30 代码： | R-PSSO-G2 |
| 元件数量： | 1 | 端子数量： | 2 |
| 工作模式： | ENHANCEMENT MODE | 最高工作温度： | 150 °C |
| 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY | 封装形状： | RECTANGULAR |
| 封装形式： | SMALL OUTLINE | 峰值回流温度（摄氏度）： | NOT SPECIFIED |
| 极性/信道类型： | N-CHANNEL | 最大功率耗散 (Abs)： | 325 W |
| 最大脉冲漏极电流 (IDM)： | 120 A | 认证状态： | Not Qualified |
| 子类别： | FET General Purpose Power | 表面贴装： | YES |
| 端子形式： | GULL WING | 端子位置： | SINGLE |
| 处于峰值回流温度下的最长时间： | NOT SPECIFIED | 晶体管应用： | SWITCHING |
| 晶体管元件材料： | SILICON | Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| APT5016SFLLG | MICROSEMI |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, 30A I(D), 500V, 0.16ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Met |
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| APT5016SLL | ADPOW |
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Power MOS 7TM is a new generation of low loss, high voltage, N-Channel enhancement mode po |
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| APT5016SLLG | MICROSEMI |
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Power Field-Effect Transistor, 30A I(D), 500V, 0.16ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Met |
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| APT5017 | ADPOW |
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Power MOS V is a new generation of high voltage N-Channel enhancement mode power MOSFETs. |
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| APT5017BFLC | ADPOW |
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Power Field-Effect Transistor, 30A I(D), 500V, 0.17ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Met |
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| APT5017BLC | ADPOW |
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Power MOS VITM is a new generation of low gate charge, high voltage N-Channel enhancement |
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| APT5017BVFR | ADPOW |
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Power MOS V is a new generation of high voltage N-Channel enhancement mode power MOSFETs. |
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| APT5017BVFRG | MICROSEMI |
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Power Field-Effect Transistor, 30A I(D), 500V, 0.17ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Met |
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| APT5017BVR | ADPOW |
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Power MOS V is a new generation of high voltage N-Channel enhancement mode power MOSFETs. |
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| APT5017BVRG | ADPOW |
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POWER MOS V |
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