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| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| APT501R1BN-BUTT | ADPOW |
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Power Field-Effect Transistor, 9A I(D), 500V, 1.1ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal |
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| APT501R1BN-GULLWING | ADPOW |
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Power Field-Effect Transistor, 9A I(D), 500V, 1.1ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal |
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| APT501R1BNR | ETC |
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TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 500V V(BR)DSS | 9.5A I(D) | TO-247AD |
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| APT501R1CN | ETC |
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TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 500V V(BR)DSS | 7A I(D) | TO-254ISO |
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| APT501R1GN | ETC |
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TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 500V V(BR)DSS | 6.5A I(D) | TO-257ISO |
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| APT5020 | ADPOW |
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Power MOS V is a new generation of high voltage N-Channel enhancement mode power MOSFETs. |
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| APT5020AVR | ADPOW |
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Power Field-Effect Transistor, 22A I(D), 500V, 0.2ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Meta |
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| APT5020BLC | ADPOW |
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Power MOS VITM is a new generation of low gate charge, high voltage N-Channel enhancement |
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| APT5020BN | ADPOW |
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N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE HIGH VOLTAGE POWER MOSFETS |
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| APT5020BN-BUTT | MICROSEMI |
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Power Field-Effect Transistor, 28A I(D), 500V, 0.2ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Meta |
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英伟达新AI芯片Rubin或提前半年亮相
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