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| 生命周期： | Obsolete | 零件包装代码： | TO-247 |
| 包装说明： | FLANGE MOUNT, R-PSFM-G3 | 针数： | 3 |
| Reach Compliance Code： | unknown | 风险等级： | 5.64 |
| 雪崩能效等级（Eas）： | 1300 mJ | 外壳连接： | DRAIN |
| 配置： | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE | 最小漏源击穿电压： | 500 V |
| 最大漏极电流 (ID)： | 28 A | 最大漏源导通电阻： | 0.2 Ω |
| FET 技术： | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR | JESD-30 代码： | R-PSFM-G3 |
| 元件数量： | 1 | 端子数量： | 3 |
| 工作模式： | ENHANCEMENT MODE | 最高工作温度： | 150 °C |
| 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY | 封装形状： | RECTANGULAR |
| 封装形式： | FLANGE MOUNT | 极性/信道类型： | N-CHANNEL |
| 功耗环境最大值： | 360 W | 最大脉冲漏极电流 (IDM)： | 112 A |
| 认证状态： | Not Qualified | 表面贴装： | YES |
| 端子形式： | GULL WING | 端子位置： | SINGLE |
| 晶体管元件材料： | SILICON | Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| APT5020BVFR | ADPOW |
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Power MOS V is a new generation of high voltage N-Channel enhancement mode power MOSFETs. |
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| APT5020BVFR | MICROSEMI |
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Power Field-Effect Transistor, 26A I(D), 500V, 0.2ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Meta |
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| APT5020BVFRG | MICROSEMI |
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Power Field-Effect Transistor, 26A I(D), 500V, 0.2ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Meta |
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| APT5020BVR | ADPOW |
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Power MOS V is a new generation of high voltage N-Channel enhancement mode power MOSFETs. |
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| APT5020BVR | MICROSEMI |
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Power Field-Effect Transistor, 26A I(D), 500V, 0.2ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Meta |
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| APT5020BVRG | MICROSEMI |
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Power Field-Effect Transistor, 26A I(D), 500V, 0.2ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Meta |
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| APT5020DN | ETC |
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TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 500V V(BR)DSS | CHIP |
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| APT5020HJN | ETC |
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TRANSISTOR | MOSFET POWER MODULE | HALF BRIDGE | 500V V(BR)DSS | 28A I(D) |
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| APT5020JN | ETC |
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TRANSISTOR | MOSFET POWER MODULE | INDEPENDENT | 500V V(BR)DSS | 28A I(D) |
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| APT5020SLC | ADPOW |
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Power MOS VITM is a new generation of low gate charge, high voltage N-Channel enhancement |
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