APT5022AVR

更新时间： 2024-11-28 22:50:11

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ADPOW		晶体晶体管功率场效应晶体管开关脉冲高压局域网
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4页	62K
描述
Power MOS V is a new generation of high voltage N-Channel enhancement mode power MOSFETs.

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APT5022AVR 技术参数

生命周期：	Obsolete	包装说明：	FLANGE MOUNT, O-MBFM-P2
Reach Compliance Code：	unknown	风险等级：	5.74
Is Samacsys：	N	其他特性：	AVALANCHE RATED
雪崩能效等级（Eas）：	1300 mJ	外壳连接：	DRAIN
配置：	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE	最小漏源击穿电压：	500 V
最大漏极电流 (ID)：	21 A	最大漏源导通电阻：	0.22 Ω
FET 技术：	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR	JEDEC-95代码：	TO-204AE
JESD-30 代码：	O-MBFM-P2	元件数量：	1
端子数量：	2	工作模式：	ENHANCEMENT MODE
封装主体材料：	METAL	封装形状：	ROUND
封装形式：	FLANGE MOUNT	极性/信道类型：	N-CHANNEL
最大脉冲漏极电流 (IDM)：	84 A	认证状态：	Not Qualified
表面贴装：	NO	端子形式：	PIN/PEG
端子位置：	BOTTOM	晶体管应用：	SWITCHING
晶体管元件材料：	SILICON	Base Number Matches：	1

APT5022AVR 数据手册

APT5022AVR

500V 21A 0.220Ω

POWER MOS V^®

Power MOS V^®is a new generation of high voltage N-Channel enhancement

mode power MOSFETs. This new technology minimizes the JFET effect,

increases packing density and reduces the on-resistance. Power MOS V^®

also achieves faster switching speeds through optimized gate layout.

TO-3

• Faster Switching

• Lower Leakage

• 100% Avalanche Tested

• Popular TO-3 Package

MAXIMUM RATINGS

Symbol Parameter

All Ratings: T = 25°C unless otherwise specified.

APT5022AVR

UNIT

V_DSS

I_D

Drain-Source Voltage

500

Volts

Continuous Drain Current @ T_C= 25°C

Amps

Volts

I_DM

Pulsed Drain Current

V_GS

V_GSM

Gate-Source Voltage Continuous

Gate-Source Voltage Transient

±30

±40

Total Power Dissipation @ T_C= 25°C

Linear Derating Factor

Watts

235

P_D

1.88

-55 to 150

300

W/°C

T_J,T_STG

T_L

Operating and Storage Junction Temperature Range

°C

Amps

Lead Temperature: 0.063" from Case for 10 Sec.

I_AR

Avalanche Current

(Repetitive and Non-Repetitive)

E_AR

E_AS

Repetitive Avalanche Energy

Single Pulse Avalanche Energy

1300

STATIC ELECTRICAL CHARACTERISTICS

Symbol Characteristic / Test Conditions

MIN

500

TYP

MAX

UNIT

BV_DSS

I_D(on)

Drain-Source Breakdown Voltage (V_GS= 0V, I_D= 250µA)

Volts

On State Drain Current

(V_DS> I_D(on)x R_DS(on)Max, V_GS= 10V)

Amps

R_DS(on)

Drain-Source On-State Resistance

(V_GS= 10V, 0.5 I_D[Cont.])

Ohms

0.220

Zero Gate Voltage Drain Current (V_DS= V_DSS, V_GS= 0V)

I_DSS

µA

Zero Gate Voltage Drain Current (V_DS= 0.8 V_DSS, V_GS= 0V, T_C= 125°C)

Gate-Source Leakage Current (V_GS= ±30V, V_DS= 0V)

Gate Threshold Voltage (V_DS= V_GS, I_D= 1.0mA)

250

±100

I_GSS

V_GS(th)

Volts

CAUTION: These Devices are Sensitive to Electrostatic Discharge. Proper Handling Procedures Should Be Followed.

APT Website - http://www.advancedpower.com

USA

405 S.W. Columbia Street

EUROPE

Bend, Oregon 97702-1035

F-33700 Merignac - France

Phone: (541) 382-8028

Phone: (33) 5 57 92 15 15

FAX: (541) 388-0364

FAX: (33) 5 56 47 97 61

Avenue J.F. Kennedy Bât B4 Parc Cadéra Nord

12 3 4

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型号	品牌	获取价格	描述	数据表
APT5022BN	ADPOW	获取价格	N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE HIGH VOLTAGE POWER MOSFETS
APT5022BN-BUTT	MICROSEMI	获取价格	Power Field-Effect Transistor, 27A I(D), 500V, 0.22ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Met
APT5022BNF	ETC	获取价格	TRANSISTOR \| MOSFET \| N-CHANNEL \| 500V V(BR)DSS \| 27A I(D) \| TO-247AD
APT5022BNF-BUTT	ADPOW	获取价格	Power Field-Effect Transistor, 27A I(D), 500V, 0.22ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Met
APT5022BNF-BUTT	MICROSEMI	获取价格	27A, 500V, 0.22ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-247
APT5022BNF-GULLWING	ADPOW	获取价格	暂无描述
APT5022BNF-GULLWING	MICROSEMI	获取价格	27A, 500V, 0.22ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-247, TO-247, 3 PIN
APT5022BNFR	ETC	获取价格	TRANSISTOR \| MOSFET \| N-CHANNEL \| 500V V(BR)DSS \| 27A I(D) \| TO-247AD
APT5022BN-GULLWING	MICROSEMI	获取价格	27A, 500V, 0.22ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-247, TO-247, 3 PIN
APT5022BNR	ETC	获取价格	TRANSISTOR \| MOSFET \| N-CHANNEL \| 500V V(BR)DSS \| 28A I(D) \| TO-247AD

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