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| 生命周期： | Obsolete | 包装说明： | FLANGE MOUNT, R-PSFM-G3 |
| Reach Compliance Code： | unknown | 风险等级： | 5.84 |
| 外壳连接： | DRAIN | 配置： | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE |
| 最小漏源击穿电压： | 500 V | 最大漏极电流 (ID)： | 9 A |
| 最大漏源导通电阻： | 1.1 Ω | FET 技术： | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR |
| 最大反馈电容 (Crss)： | 94 pF | JESD-30 代码： | R-PSFM-G3 |
| 元件数量： | 1 | 端子数量： | 3 |
| 工作模式： | ENHANCEMENT MODE | 最高工作温度： | 150 °C |
| 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY | 封装形状： | RECTANGULAR |
| 封装形式： | FLANGE MOUNT | 极性/信道类型： | N-CHANNEL |
| 功耗环境最大值： | 180 W | 最大脉冲漏极电流 (IDM)： | 36 A |
| 认证状态： | Not Qualified | 表面贴装： | YES |
| 端子形式： | GULL WING | 端子位置： | SINGLE |
| 晶体管元件材料： | SILICON | 最大关闭时间（toff）： | 70 ns |
| 最大开启时间（吨）： | 48 ns | Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| APT501R1BNR | ETC |
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TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 500V V(BR)DSS | 9.5A I(D) | TO-247AD |
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| APT501R1CN | ETC |
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TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 500V V(BR)DSS | 7A I(D) | TO-254ISO |
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| APT501R1GN | ETC |
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TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 500V V(BR)DSS | 6.5A I(D) | TO-257ISO |
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| APT5020 | ADPOW |
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Power MOS V is a new generation of high voltage N-Channel enhancement mode power MOSFETs. |
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| APT5020AVR | ADPOW |
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Power Field-Effect Transistor, 22A I(D), 500V, 0.2ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Meta |
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| APT5020BLC | ADPOW |
获取价格 |
Power MOS VITM is a new generation of low gate charge, high voltage N-Channel enhancement |
|
| APT5020BN | ADPOW |
获取价格 |
N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE HIGH VOLTAGE POWER MOSFETS |
|
| APT5020BN-BUTT | MICROSEMI |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, 28A I(D), 500V, 0.2ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Meta |
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| APT5020BNF | ETC |
获取价格 |
TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 500V V(BR)DSS | 28A I(D) | TO-247AD |
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| APT5020BNF-BUTT | MICROSEMI |
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28A, 500V, 0.2ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-247 |
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