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| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| APT5020BN-GULLWING | ADPOW |
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Power Field-Effect Transistor, 28A I(D), 500V, 0.2ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Meta |
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| APT5020BN-GULLWING | MICROSEMI |
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28A, 500V, 0.2ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-247, TO-247, 3 PIN |
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| APT5020BNR | ETC |
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TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 500V V(BR)DSS | 28A I(D) | TO-247AD |
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| APT5020BNR-BUTT | ADPOW |
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Power Field-Effect Transistor, 28A I(D), 500V, 0.2ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Meta |
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| APT5020BNR-BUTT | MICROSEMI |
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28A, 500V, 0.2ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-247 |
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| APT5020BNR-GULLWING | MICROSEMI |
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28A, 500V, 0.2ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-247, TO-247, 3 PIN |
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| APT5020BVFR | ADPOW |
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Power MOS V is a new generation of high voltage N-Channel enhancement mode power MOSFETs. |
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| APT5020BVFR | MICROSEMI |
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Power Field-Effect Transistor, 26A I(D), 500V, 0.2ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Meta |
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| APT5020BVFRG | MICROSEMI |
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Power Field-Effect Transistor, 26A I(D), 500V, 0.2ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Meta |
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| APT5020BVR | ADPOW |
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Power MOS V is a new generation of high voltage N-Channel enhancement mode power MOSFETs. |
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