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| 是否无铅： | 含铅 | 是否Rohs认证： | 不符合 |
| 生命周期： | Obsolete | 包装说明： | D3PAK-3 |
| 针数： | 3 | Reach Compliance Code： | unknown |
| 风险等级： | 5.26 | Is Samacsys： | N |
| 雪崩能效等级（Eas）： | 1300 mJ | 外壳连接： | DRAIN |
| 配置： | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE | 最小漏源击穿电压： | 500 V |
| 最大漏极电流 (ID)： | 30 A | 最大漏源导通电阻： | 0.17 Ω |
| FET 技术： | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR | JESD-30 代码： | R-PSSO-G2 |
| 元件数量： | 1 | 端子数量： | 2 |
| 工作模式： | ENHANCEMENT MODE | 最高工作温度： | 150 °C |
| 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY | 封装形状： | RECTANGULAR |
| 封装形式： | SMALL OUTLINE | 峰值回流温度（摄氏度）： | NOT SPECIFIED |
| 极性/信道类型： | N-CHANNEL | 最大脉冲漏极电流 (IDM)： | 120 A |
| 认证状态： | Not Qualified | 表面贴装： | YES |
| 端子形式： | GULL WING | 端子位置： | SINGLE |
| 处于峰值回流温度下的最长时间： | NOT SPECIFIED | 晶体管应用： | SWITCHING |
| 晶体管元件材料： | SILICON | Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| APT5017SVRG | MICROSEMI |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, 30A I(D), 500V, 0.17ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Met |
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| APT5018BFLL | ADPOW |
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Power MOS 7TM is a new generation of low loss, high voltage, N-Channel enhancement mode po |
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| APT5018BFLL_03 | ADPOW |
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POWER MOS 7 FREDFET |
|
| APT5018BFLLG | MICROSEMI |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, 27A I(D), 500V, 0.18ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Met |
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| APT5018BLL | ADPOW |
获取价格 |
Power MOS 7TM is a new generation of low loss, high voltage, N-Channel enhancement mode po |
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| APT5018BLL_03 | ADPOW |
获取价格 |
POWER MOS 7 MOSFET |
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| APT5018BLLG | MICROSEMI |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, 27A I(D), 500V, 0.18ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Met |
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| APT5018SFLL | ADPOW |
获取价格 |
Power MOS 7TM is a new generation of low loss, high voltage, N-Channel enhancement mode po |
|
| APT5018SFLLG | MICROSEMI |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, 27A I(D), 500V, 0.18ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Met |
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| APT5018SLL | ADPOW |
获取价格 |
Power MOS 7TM is a new generation of low loss, high voltage, N-Channel enhancement mode po |
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