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APT5018BLLG PDF预览

APT5018BLLG

更新时间： 2024-11-28 14:47:43
品牌 Logo 应用领域
美高森美 - MICROSEMI 局域网开关脉冲晶体管
页数 文件大小 规格书
5页 98K
描述
Power Field-Effect Transistor, 27A I(D), 500V, 0.18ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-247AD, ROHS COMPLIANT, TO-247, 3 PIN

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APT5018BLLG 技术参数

是否Rohs认证： 符合生命周期：Active
零件包装代码：TO-247AD包装说明：FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3
针数：3Reach Compliance Code：compliant
ECCN代码：EAR99风险等级：5.12
雪崩能效等级（Eas）：1210 mJ外壳连接：DRAIN
配置：SINGLE WITH BUILT-IN DIODE最小漏源击穿电压：500 V
最大漏极电流 (ID)：27 A最大漏源导通电阻：0.18 Ω
FET 技术：METAL-OXIDE SEMICONDUCTORJEDEC-95代码：TO-247AD
JESD-30 代码：R-PSFM-T3JESD-609代码：e1
元件数量：1端子数量：3
工作模式：ENHANCEMENT MODE封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装形状：RECTANGULAR封装形式：FLANGE MOUNT
峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED极性/信道类型：N-CHANNEL
最大脉冲漏极电流 (IDM)：108 A表面贴装：NO
端子面层：TIN SILVER COPPER端子形式：THROUGH-HOLE
端子位置：SINGLE处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED
晶体管应用：SWITCHING晶体管元件材料：SILICON
Base Number Matches：1

APT5018BLLG 数据手册

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APT5018BLL  
APT5018SLL  
500V 27A 0.180Ω  
R
BLL  
POWER MOS 7 MOSFET  
D3PAK  
TO-247  
Power MOS 7® is a new generation of low loss, high voltage, N-Channel  
enhancement mode power MOSFETS. Both conduction and switching  
losses are addressed with Power MOS 7® by significantly lowering RDS(ON)  
and Qg. Power MOS 7® combines lower conduction and switching losses  
along with exceptionally fast switching speeds inherent with APT's  
patented metal gate structure.  
SLL  
D
• Lower Input Capacitance  
• Lower Miller Capacitance  
• Lower Gate Charge, Qg  
• IncreasedPowerDissipation  
• Easier To Drive  
• TO-247 or Surface Mount D3PAK Package  
G
S
MAXIMUM RATINGS  
Symbol Parameter  
All Ratings: T = 25°C unless otherwise specified.  
C
APT5018  
500  
UNIT  
VDSS  
ID  
Drain-Source Voltage  
Volts  
Continuous Drain Current @ TC = 25°C  
27  
Amps  
Volts  
1
IDM  
Pulsed Drain Current  
108  
VGS  
VGSM  
Gate-Source Voltage Continuous  
Gate-Source Voltage Transient  
±30  
±40  
Total Power Dissipation @ TC = 25°C  
Linear Derating Factor  
300  
Watts  
W/°C  
PD  
2.4  
TJ,TSTG  
TL  
Operating and Storage Junction Temperature Range  
-55 to 150  
300  
°C  
Amps  
mJ  
Lead Temperature: 0.063" from Case for 10 Sec.  
1
IAR  
Avalanche Current  
(Repetitive and Non-Repetitive)  
27  
1
EAR  
EAS  
30  
Repetitive Avalanche Energy  
Single Pulse Avalanche Energy  
4
1210  
STATIC ELECTRICAL CHARACTERISTICS  
Symbol Characteristic / Test Conditions  
MIN  
500  
27  
TYP  
MAX  
UNIT  
BVDSS  
ID(on)  
Drain-Source Breakdown Voltage (VGS = 0V, ID = 250µA)  
Volts  
2
On State Drain Current  
(VDS > ID(on) x RDS(on) Max, VGS = 10V)  
Amps  
2
RDS(on)  
Drain-Source On-State Resistance  
(VGS = 10V, 13.5A)  
Ohms  
µA  
0.18  
100  
500  
±100  
5
Zero Gate Voltage Drain Current (VDS = 500V, VGS = 0V)  
Zero Gate Voltage Drain Current (VDS = 400V, VGS = 0V, TC = 125°C)  
Gate-Source Leakage Current (VGS = ±30V, VDS = 0V)  
Gate Threshold Voltage (VDS = VGS, ID = 1mA)  
IDSS  
IGSS  
nA  
VGS(th)  
Volts  
3
CAUTION: These Devices are Sensitive to Electrostatic Discharge. Proper Handling Procedures Should Be Followed.  
APT Website - http://www.advancedpower.com  
12345

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APT5018BLLG 替代型号

型号 品牌 替代类型 描述 数据表
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