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APT5015SVFRG

更新时间： 2024-09-15 15:27:55
品牌 Logo 应用领域
美高森美 - MICROSEMI 局域网开关脉冲晶体管
页数 文件大小 规格书
4页 116K
描述
Power Field-Effect Transistor, 32A I(D), 500V, 0.15ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, D3PAK-3

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APT5015SVFRG 技术参数

是否无铅： 不含铅是否Rohs认证： 符合
生命周期：Active包装说明：SMALL OUTLINE, R-PSSO-G2
针数：3Reach Compliance Code：compliant
风险等级：5.16其他特性：AVALANCHE RATED
雪崩能效等级（Eas）：1300 mJ外壳连接：DRAIN
配置：SINGLE WITH BUILT-IN DIODE最小漏源击穿电压：500 V
最大漏极电流 (ID)：32 A最大漏源导通电阻：0.15 Ω
FET 技术：METAL-OXIDE SEMICONDUCTORJESD-30 代码：R-PSSO-G2
JESD-609代码：e3元件数量：1
端子数量：2工作模式：ENHANCEMENT MODE
最高工作温度：150 °C封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装形状：RECTANGULAR封装形式：SMALL OUTLINE
峰值回流温度（摄氏度）：245极性/信道类型：N-CHANNEL
最大脉冲漏极电流 (IDM)：128 A认证状态：Not Qualified
表面贴装：YES端子面层：PURE MATTE TIN
端子形式：GULL WING端子位置：SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间：30晶体管应用：SWITCHING
晶体管元件材料：SILICONBase Number Matches：1

APT5015SVFRG 数据手册

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APT5015BVFR  
APT5015SVFR  
500V 32A 0.150Ω  
BVFR  
POWER MOS V®  
FREDFET  
D3PAK  
SVFR  
TO-247  
Power MOS V® is a new generation of high voltage N-Channel enhancement  
mode power MOSFETs. This new technology minimizes the JFET effect,  
increases packing density and reduces the on-resistance. Power MOS V®  
also achieves faster switching speeds through optimized gate layout.  
• FasterSwitching  
• AvalancheEnergyRated  
D
S
• LowerLeakage  
• TO-247or SurfaceMountD3PAKPackage  
G
• Fast Recovery Body Diode  
MAXIMUM RATINGS  
Symbol Parameter  
All Ratings: T = 25°C unless otherwise specified.  
C
APT5015BVFR_SVFR  
UNIT  
VDSS  
ID  
Drain-Source Voltage  
500  
32  
Volts  
Continuous Drain Current @ TC = 25°C  
Amps  
Volts  
1
IDM  
Pulsed Drain Current  
128  
VGS  
VGSM  
Gate-Source Voltage Continuous  
Gate-Source Voltage Transient  
±30  
±40  
Total Power Dissipation @ TC = 25°C  
Linear Derating Factor  
Watts  
W/°C  
370  
PD  
2.96  
-55 to 150  
300  
TJ,TSTG  
TL  
Operating and Storage Junction Temperature Range  
°C  
Amps  
mJ  
Lead Temperature: 0.063" from Case for 10 Sec.  
1
IAR  
Avalanche Current  
(Repetitive and Non-Repetitive)  
30  
1
EAR  
EAS  
30  
Repetitive Avalanche Energy  
Single Pulse Avalanche Energy  
4
1300  
STATIC ELECTRICAL CHARACTERISTICS  
Symbol Characteristic / Test Conditions  
MIN  
500  
32  
TYP  
MAX  
UNIT  
BVDSS  
ID(on)  
Drain-Source Breakdown Voltage (VGS = 0V, ID = 250µA)  
Volts  
2
On State Drain Current  
(VDS > ID(on) x RDS(on) Max, VGS = 10V)  
Amps  
2
RDS(on)  
Drain-Source On-State Resistance  
(VGS = 10V, 0.5 ID[Cont.])  
Ohms  
µA  
0.15  
250  
1000  
±100  
4
Zero Gate Voltage Drain Current (VDS = VDSS, VGS = 0V)  
IDSS  
Zero Gate Voltage Drain Current (VDS = 0.8 VDSS, VGS = 0V, TC = 125°C)  
Gate-Source Leakage Current (VGS = ±30V, VDS = 0V)  
Gate Threshold Voltage (VDS = VGS, ID = 1.0mA)  
IGSS  
nA  
VGS(th)  
Volts  
2
CAUTION: These Devices are Sensitive to Electrostatic Discharge. Proper Handling Procedures Should Be Followed.  
APT Website - http://www.advancedpower.com  
1234

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