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| 是否无铅： | 不含铅 | 是否Rohs认证： | 符合 |
| 生命周期： | Obsolete | 零件包装代码： | TO-247 |
| 包装说明： | IN-LINE, R-PSIP-T3 | 针数： | 3 |
| Reach Compliance Code： | compliant | 风险等级： | 5.26 |
| Is Samacsys： | N | 其他特性： | HIGH VOLTAGE |
| 雪崩能效等级（Eas）： | 1600 mJ | 外壳连接： | DRAIN |
| 配置： | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE | 最小漏源击穿电压： | 500 V |
| 最大漏极电流 (ID)： | 37 A | 最大漏源导通电阻： | 0.14 Ω |
| FET 技术： | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR | JESD-30 代码： | R-PSIP-T3 |
| JESD-609代码： | e1 | 元件数量： | 1 |
| 端子数量： | 3 | 工作模式： | ENHANCEMENT MODE |
| 最高工作温度： | 150 °C | 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY |
| 封装形状： | RECTANGULAR | 封装形式： | IN-LINE |
| 峰值回流温度（摄氏度）： | NOT SPECIFIED | 极性/信道类型： | N-CHANNEL |
| 最大脉冲漏极电流 (IDM)： | 148 A | 认证状态： | Not Qualified |
| 表面贴装： | NO | 端子面层： | TIN SILVER COPPER |
| 端子形式： | THROUGH-HOLE | 端子位置： | SINGLE |
| 处于峰值回流温度下的最长时间： | NOT SPECIFIED | 晶体管应用： | SWITCHING |
| 晶体管元件材料： | SILICON | Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| APT5014BFLL | ADPOW |
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Power MOS 7TM is a new generation of low loss, high voltage, N-Channel enhancement mode po |
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| APT5014BFLL_04 | ADPOW |
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POWER MOS 7 FREDFET |
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| APT5014BFLLG | MICROSEMI |
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Power Field-Effect Transistor, 35A I(D), 500V, 0.14ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Met |
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| APT5014BLL | ADPOW |
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Power MOS 7TM is a new generation of low loss, high voltage, N-Channel enhancement mode po |
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| APT5014BLL_04 | ADPOW |
获取价格 |
POWER MOS 7 MOSFET |
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| APT5014BLLG | MICROSEMI |
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Power Semiconductors Power Modules RF Power MOSFETs |
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| APT5014LFLC | ETC |
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| APT5014LLC | ADPOW |
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Power MOS VITM is a new generation of low gate charge, high voltage N-Channel enhancement |
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| APT5014LLC | MICROSEMI |
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37A, 500V, 0.14ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-264, TO-264, 3 PIN |
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| APT5014LVFR | ADPOW |
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POWER MOS V FREDFET |
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