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| 是否Rohs认证： | 符合 | 生命周期： | Active |
| 零件包装代码： | TO-247AD | 包装说明： | FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3 |
| 针数： | 3 | Reach Compliance Code： | compliant |
| ECCN代码： | EAR99 | 风险等级： | 5.09 |
| Is Samacsys： | N | 雪崩能效等级（Eas）： | 1300 mJ |
| 外壳连接： | DRAIN | 配置： | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE |
| 最小漏源击穿电压： | 500 V | 最大漏极电流 (ID)： | 35 A |
| 最大漏源导通电阻： | 0.14 Ω | FET 技术： | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR |
| JEDEC-95代码： | TO-247AD | JESD-30 代码： | R-PSFM-T3 |
| JESD-609代码： | e1 | 元件数量： | 1 |
| 端子数量： | 3 | 工作模式： | ENHANCEMENT MODE |
| 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY | 封装形状： | RECTANGULAR |
| 封装形式： | FLANGE MOUNT | 峰值回流温度（摄氏度）： | NOT SPECIFIED |
| 极性/信道类型： | N-CHANNEL | 最大脉冲漏极电流 (IDM)： | 140 A |
| 表面贴装： | NO | 端子面层： | TIN SILVER COPPER |
| 端子形式： | THROUGH-HOLE | 端子位置： | SINGLE |
| 处于峰值回流温度下的最长时间： | NOT SPECIFIED | 晶体管应用： | SWITCHING |
| 晶体管元件材料： | SILICON | Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 替代类型 | 描述 | 数据表 |
| APT5014BFLLG | MICROSEMI |
类似代替  |
Power Field-Effect Transistor, 35A I(D), 500V, 0.14ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Met |
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| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| APT5014LFLC | ETC |
获取价格 |
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| APT5014LLC | ADPOW |
获取价格 |
Power MOS VITM is a new generation of low gate charge, high voltage N-Channel enhancement |
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| APT5014LLC | MICROSEMI |
获取价格 |
37A, 500V, 0.14ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-264, TO-264, 3 PIN |
|
| APT5014LVFR | ADPOW |
获取价格 |
POWER MOS V FREDFET |
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| APT5014LVFRG | MICROSEMI |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, 37A I(D), 500V, 0.14ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Met |
|
| APT5014LVR | ADPOW |
获取价格 |
Power MOS V is a new generation of high voltage N-Channel enhancement mode power MOSFETs. |
|
| APT5014LVR | MICROSEMI |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, 37A I(D), 500V, 0.14ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Met |
|
| APT5014LVRG | MICROSEMI |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, 37A I(D), 500V, 0.14ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Met |
|
| APT5014SFLL | ADPOW |
获取价格 |
Power MOS 7TM is a new generation of low loss, high voltage, N-Channel enhancement mode po |
|
| APT5014SFLLG | MICROSEMI |
获取价格 |
暂无描述 |
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