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| 生命周期： | Obsolete | 包装说明： | FLANGE MOUNT, R-PUFM-D4 |
| Reach Compliance Code： | unknown | 风险等级： | 5.72 |
| Is Samacsys： | N | 其他特性： | BUILT IN ULTRAFAST DIODE |
| 外壳连接： | ISOLATED | 配置： | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE |
| 最小漏源击穿电压： | 500 V | 最大漏极电流 (Abs) (ID)： | 43 A |
| 最大漏极电流 (ID)： | 43 A | 最大漏源导通电阻： | 0.12 Ω |
| FET 技术： | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR | 最大反馈电容 (Crss)： | 660 pF |
| JESD-30 代码： | R-PUFM-D4 | 元件数量： | 1 |
| 端子数量： | 4 | 工作模式： | ENHANCEMENT MODE |
| 最高工作温度： | 150 °C | 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY |
| 封装形状： | RECTANGULAR | 封装形式： | FLANGE MOUNT |
| 极性/信道类型： | N-CHANNEL | 功耗环境最大值： | 520 W |
| 最大功率耗散 (Abs)： | 520 W | 最大脉冲漏极电流 (IDM)： | 172 A |
| 认证状态： | Not Qualified | 子类别： | FET General Purpose Power |
| 表面贴装： | NO | 端子形式： | SOLDER LUG |
| 端子位置： | UPPER | 晶体管应用： | SWITCHING |
| 晶体管元件材料： | SILICON | 最大关闭时间（toff）： | 100 ns |
| 最大开启时间（吨）： | 80 ns | Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| APT5012JNU3 | ETC |
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TRANSISTOR | MOSFET POWER MODULE | INDEPENDENT | 500V V(BR)DSS | 43A I(D) |
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| APT5012LNR | ETC |
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TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 500V V(BR)DSS | 42A I(D) | TO-264AA |
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| APT5012WVR | ADPOW |
获取价格 |
Power MOS V is a new generation of high voltage N-Channel enhancement mode power MOSFETs. |
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| APT5012WVR | MICROSEMI |
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N-CHANNEL MOSFET |
|
| APT5013JNF | ETC |
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TRANSISTOR | MOSFET POWER MODULE | INDEPENDENT | 500V V(BR)DSS | 42A I(D) |
|
| APT5014 | ADPOW |
获取价格 |
Power MOS 7TM is a new generation of low loss, high voltage, N-Channel enhancement mode po |
|
| APT5014B2LC | ADPOW |
获取价格 |
Power MOS VITM is a new generation of low gate charge, high voltage N-Channel enhancement |
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| APT5014B2VFR | ADPOW |
获取价格 |
POWER MOS V FREDFET |
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| APT5014B2VFR | MICROSEMI |
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Power Field-Effect Transistor, 37A I(D), 500V, 0.14ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Met |
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| APT5014B2VFRG | MICROSEMI |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, 37A I(D), 500V, 0.14ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Met |
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