是否Rohs认证: | 不符合 | 生命周期: | Transferred |
包装说明: | FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3 | Reach Compliance Code: | unknown |
风险等级: | 5.69 | Is Samacsys: | N |
雪崩能效等级(Eas): | 2500 mJ | 外壳连接: | DRAIN |
配置: | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE | 最小漏源击穿电压: | 500 V |
最大漏极电流 (Abs) (ID): | 47 A | 最大漏极电流 (ID): | 47 A |
最大漏源导通电阻: | 0.1 Ω | FET 技术: | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR |
JEDEC-95代码: | TO-264AA | JESD-30 代码: | R-PSFM-T3 |
JESD-609代码: | e0 | 元件数量: | 1 |
端子数量: | 3 | 工作模式: | ENHANCEMENT MODE |
最高工作温度: | 150 °C | 封装主体材料: | PLASTIC/EPOXY |
封装形状: | RECTANGULAR | 封装形式: | FLANGE MOUNT |
峰值回流温度(摄氏度): | NOT SPECIFIED | 极性/信道类型: | N-CHANNEL |
最大功率耗散 (Abs): | 420 W | 最大脉冲漏极电流 (IDM): | 188 A |
认证状态: | Not Qualified | 子类别: | FET General Purpose Power |
表面贴装: | NO | 端子面层: | Tin/Lead (Sn/Pb) |
端子形式: | THROUGH-HOLE | 端子位置: | SINGLE |
处于峰值回流温度下的最长时间: | NOT SPECIFIED | 晶体管应用: | SWITCHING |
晶体管元件材料: | SILICON | Base Number Matches: | 1 |
型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
APT5010LVRG | MICROSEMI |
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Power MOS V is a new generation of high voltage N-Channel enhancement | |
APT5011AFN | ETC |
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TRANSISTOR | MOSFET POWER MODULE | INDEPENDENT | 500V V(BR)DSS | 49A I(D) | |
APT5011DN | ETC |
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TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 500V V(BR)DSS | CHIP | |
APT5011JNF | ETC |
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TRANSISTOR | MOSFET POWER MODULE | INDEPENDENT | 500V V(BR)DSS | 46A I(D) | |
APT5012 | ADPOW |
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Power MOS V is a new generation of high voltage N-Channel enhancement mode power MOSFETs. | |
APT5012EN | ADPOW |
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Transistor | |
APT5012JN | ADPOW |
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N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE HIGH VOLTAGE POWER MOSFETS | |
APT5012JNU2 | MICROSEMI |
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43A, 500V, 0.12ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET | |
APT5012JNU3 | ETC |
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TRANSISTOR | MOSFET POWER MODULE | INDEPENDENT | 500V V(BR)DSS | 43A I(D) | |
APT5012LNR | ETC |
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TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 500V V(BR)DSS | 42A I(D) | TO-264AA |