APT5012JN

更新时间： 2024-09-09 22:39:11

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ADPOW		高压高电压电源
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4页	64K
描述
N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE HIGH VOLTAGE POWER MOSFETS

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APT5012JN 技术参数

生命周期：	Obsolete	包装说明：	FLANGE MOUNT, R-PUFM-X4
Reach Compliance Code：	unknown	风险等级：	5.72
其他特性：	UL RECOGNIZED	外壳连接：	ISOLATED
配置：	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE	最小漏源击穿电压：	500 V
最大漏极电流 (Abs) (ID)：	43 A	最大漏极电流 (ID)：	43 A
最大漏源导通电阻：	0.12 Ω	FET 技术：	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
最大反馈电容 (Crss)：	660 pF	JESD-30 代码：	R-PUFM-X4
元件数量：	1	端子数量：	4
工作模式：	ENHANCEMENT MODE	最高工作温度：	150 °C
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	FLANGE MOUNT	极性/信道类型：	N-CHANNEL
功耗环境最大值：	520 W	最大功率耗散 (Abs)：	520 W
最大脉冲漏极电流 (IDM)：	172 A	认证状态：	Not Qualified
子类别：	FET General Purpose Power	表面贴装：	NO
端子形式：	UNSPECIFIED	端子位置：	UPPER
晶体管应用：	SWITCHING	晶体管元件材料：	SILICON
最大关闭时间（toff）：	100 ns	最大开启时间（吨）：	80 ns
Base Number Matches：	1

APT5012JN 数据手册

SOT-227

APT5010JN 500V 48.0A 0.10Ω

APT5012JN 500V 43.0A 0.12Ω

"UL Recognized" File No. E145592 (S)

ISOTOP^®

POWER MOS IV^®

SINGLE DIE ISOTOP^®PACKAGE

N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE HIGH VOLTAGE POWER MOSFETS

MAXIMUM RATINGS

All Ratings: T = 25°C unless otherwise specified.

APT

Symbol Parameter

5010JN

5012JN

UNIT

V_DSS

500

Volts

Drain-Source Voltage

I_D

Continuous Drain Current @ T_C= 25°C

Amps

I_DM, l_LM

V_GS

192

172

Pulsed Drain Current

and Inductive Current Clamped

Gate-Source Voltage

±30

520

4.16

Volts

Watts

W/°C

Total Power Dissipation @ T_C= 25°C

Linear Derating Factor

P_D

T_J,T_STG

T_L

Operating and Storage Junction Temperature Range

Lead Temperature: 0.063" from Case for 10 Sec.

-55 to 150

300

°C

STATIC ELECTRICAL CHARACTERISTICS

Characteristic / Test Conditions / Part Number

Symbol

MIN

500

TYP

MAX

UNIT

APT5010JN

APT5012JN

APT5010JN

APT5012JN

APT5010JN

APT5012JN

Drain-Source Breakdown Voltage

BV_DSS

Volts

(V_GS= 0V, I_D= 250 µA)

On State Drain Current

I_D(ON)

Amps

Ohms

µA

(V_DS> I_D(ON) x R_DS(ON) Max, V_GS= 10V)

0.10

0.12

250

1000

±100

Drain-Source On-State Resistance

R_DS(ON)

(V_GS= 10V, 0.5 I_D[Cont.])

Zero Gate Voltage Drain Current (V_DS= V_DSS, V_GS= 0V)

I_DSS

I_GSS

Zero Gate Voltage Drain Current (V_DS= 0.8 V_DSS, V_GS= 0V, T_C= 125°C)

Gate-Source Leakage Current (V_GS= ±30V, V_DS= 0V)

V_GS(TH) Gate Threshold Voltage (V_DS= V_GS, I_D= 2.5mA)

THERMAL CHARACTERISTICS

Volts

Symbol Characteristic

MIN

TYP

MAX

UNIT

R_ΘJC

R_ΘCS

Junction to Case

0.24

°C/W

Case to Sink (Use High Efficiency Thermal Joint Compound and Planer Heat Sink Surface.)

0.06

CAUTION: These Devices are Sensitive to Electrostatic Discharge. Proper Handling Procedures Should Be Followed.

USA

405 S.W. Columbia Street

EUROPE

Bend, Oregon 97702-1035

F-33700 Merignac - France

Phone: (541) 382-8028

Phone: (33) 5 57 92 15 15

FAX: (541) 388-0364

FAX: (33) 5 56 47 97 61

Avenue J.F. Kennedy Bât B4 Parc Cadéra Nord

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型号	品牌	获取价格	描述	数据表
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