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APT4F120K

更新时间： 2024-01-15 04:05:25

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美高森美 - MICROSEMI		/
页数	文件大小	规格书
4页	189K
描述
N-Channel FREDFET 1200V, 4A, 4.60ヘ Max,

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APT4F120K 技术参数

是否无铅：	不含铅	是否Rohs认证：	符合
生命周期：	Active	零件包装代码：	TO-220AB
包装说明：	FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3	针数：	3
Reach Compliance Code：	compliant	风险等级：	5.31
其他特性：	AVALANCHE RATED, HIGH RELIABILITY	雪崩能效等级（Eas）：	310 mJ
外壳连接：	DRAIN	配置：	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压：	1200 V	最大漏极电流 (ID)：	4 A
最大漏源导通电阻：	4.2 Ω	FET 技术：	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JEDEC-95代码：	TO-220AB	JESD-30 代码：	R-PSFM-T3
元件数量：	1	端子数量：	3
工作模式：	ENHANCEMENT MODE	最高工作温度：	150 °C
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	FLANGE MOUNT	峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED
极性/信道类型：	N-CHANNEL	最大脉冲漏极电流 (IDM)：	15 A
认证状态：	Not Qualified	表面贴装：	NO
端子面层：	Pure Matte Tin (Sn)	端子形式：	THROUGH-HOLE
端子位置：	SINGLE	处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED
晶体管应用：	SWITCHING	晶体管元件材料：	SILICON
Base Number Matches：	1

APT4F120K 数据手册

APT4F120K

1200V, 4A, 4.60Ω Max,

N-Channel FREDFET

Power MOS 8^™is a high speed, high voltage N-channel switch-mode power MOSFET.

TO-220

This 'FREDFET' version has a drain-source (body) diode that has been optimized for

high reliability in ZVS phase shifted bridge and other circuits through reduced t , soft

recovery, and high recovery dv/dt capability. Low gate charge, high gain, and a greatly

reduced ratio of C /C result in excellent noise immunity and low switching loss. The

rss iss

intrinsic gate resistance and capacitance of the poly-silicon gate structure help control

di/dt during switching, resulting in low EMI and reliable paralleling, even when switching

at very high frequency.

APT4F120K

Single die FREDFET

FEATURES

TYPICAL APPLICATIONS

• ZVS phase shifted and other full bridge

• Fast switching with low EMI

• Half bridge

• Low t for high reliability

• PFC and other boost converter

• Buck converter

• Ultra low C

rss

for improved noise immunity

• Low gate charge

• Single and two switch forward

• Flyback

• Avalanche energy rated

• RoHS compliant

Absolute Maximum Ratings

Symbol Parameter

Ratings

Unit

Continuous Drain Current @ T_C= 25°C

I_D

Continuous Drain Current @ T_C= 100°C

Pulsed Drain Current ¹

2.7

I_DM

V_GS

E_AS

Gate - Source Voltage

±30

310

Single Pulse Avalanche Energy ²

I_AR

Avalanche Current, Repetitive or Non-Repetitive

Thermal and Mechanical Characteristics

Symbol Characteristic

Min

Typ

Max

Unit

P_D

Total Power Dissipation @ T_C= 25°C

Junction to Case Thermal Resistance

225

.56

R_θ

°C/W

R_θ

Case to Sink Thermal Resistance, Flat, Greased Surface

Operating and Storage Junction Temperature Range

Soldering Temperature for 10 Seconds (1.6mm from case)

.11

T_J, T_STG

T_L

-55

150

300

°C

0.07

W_T

Package Weight

in·lbf

1.1

Torque

Mounting Torque (TO-220 Package), 4-40 or M3 screw

N·m

Microsemi Website - http://www.microsemi.com

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与APT4F120K相关器件

型号	品牌	获取价格	描述	数据表
APT4F120K_10	MICROSEMI	获取价格	1200V, 4A, 4.2Ω Max Trr ≤195nS
APT4M100K	MICROSEMI	获取价格	Power Field-Effect Transistor, 4.6A I(D), 1200V, 4ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Meta
APT4M120K	MICROSEMI	获取价格	N-Channel MOSFET
APT4SC60K	MICROSEMI	获取价格	Rectifier Diode, Schottky, 1 Element, 4A, 600V V(RRM)
APT50-101DN	ETC	获取价格	TRANSISTOR \| MOSFET \| N-CHANNEL \| 500V V(BR)DSS \| 22.5A I(D) \| CHIP
APT5010B2	ADPOW	获取价格	Power MOS 7TM is a new generation of low loss, high voltage, N-Channel enhancement mode po
APT5010B2FLC	ADPOW	获取价格	暂无描述
APT5010B2FLL	ADPOW	获取价格	Power MOS 7TM is a new generation of low loss, high voltage, N-Channel enhancement mode po
APT5010B2FLL_04	ADPOW	获取价格	POWER MOS 7 FREDFET
APT5010B2FLLG	MICROSEMI	获取价格	Power Field-Effect Transistor, 46A I(D), 500V, 0.1ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Meta

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