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APT5010JLLU2

更新时间： 2024-01-02 03:48:45

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美高森美 - MICROSEMI		晶体晶体管开关脉冲局域网
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7页	459K
描述
ISOTOP Boost chopper MOSFET Power Module

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APT5010JLLU2 技术参数

是否无铅：	不含铅	是否Rohs认证：	符合
生命周期：	Active	零件包装代码：	ISOTOP
包装说明：	FLANGE MOUNT, R-XUFM-X4	针数：	4
Reach Compliance Code：	compliant	ECCN代码：	EAR99
风险等级：	1.61	其他特性：	AVALANCHE RATED
雪崩能效等级（Eas）：	1600 mJ	外壳连接：	ISOLATED
配置：	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE	最小漏源击穿电压：	500 V
最大漏极电流 (Abs) (ID)：	41 A	最大漏极电流 (ID)：	41 A
最大漏源导通电阻：	0.1 Ω	FET 技术：	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JESD-30 代码：	R-XUFM-X4	元件数量：	1
端子数量：	4	工作模式：	ENHANCEMENT MODE
最高工作温度：	150 °C	封装主体材料：	UNSPECIFIED
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	FLANGE MOUNT
峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED	极性/信道类型：	N-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs)：	378 W	最大脉冲漏极电流 (IDM)：	164 A
认证状态：	Not Qualified	子类别：	FET General Purpose Power
表面贴装：	NO	端子形式：	UNSPECIFIED
端子位置：	UPPER	处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED
晶体管应用：	SWITCHING	晶体管元件材料：	SILICON
Base Number Matches：	1

APT5010JLLU2 数据手册

APT5010JLLU2

V_DSS= 500V

ISOTOP^®Boost chopper

R_DSon= 100mΩ max @ Tj = 25°C

MOSFET Power Module

I_D= 41A @ Tc = 25°C

Application

•

AC and DC motor control

Switched Mode Power Supplies

Power Factor Correction

Brake switch

Features

•

Power MOS 7^®MOSFETs

Low R_DSon

Low input and Miller capacitance

Low gate charge

Fast intrinsic reverse diode

Avalanche energy rated

Very rugged

•

ISOTOP^®Package (SOT-227)

Very low stray inductance

High level of integration

Benefits

•

Outstanding performance at high frequency operation

Direct mounting to heatsink (isolated package)

Low junction to case thermal resistance

Very rugged

Low profile

RoHS Compliant



ISOTOP

Absolute maximum ratings

Symbol

Parameter

Max ratings

Unit

V_DSS

Drain - Source Breakdown Voltage

500

T_c= 25°C

T_c= 80°C

164

±30

100

I_D

Continuous Drain Current

I_DM

V_GS

R_DSon

Pulsed Drain current

Gate - Source Voltage

Drain - Source ON Resistance

mΩ

P_D

I_AR

E_AR

E_AS

IF_AV

IF_RMS

Maximum Power Dissipation

T_c= 25°C

Tc = 80°C

378

Avalanche current (repetitive and non repetitive)

Repetitive Avalanche Energy

Single Pulse Avalanche Energy

1600

Maximum Average Forward Current

Duty cycle=0.5

RMS Forward Current (Square wave, 50% duty)

These Devices are sensitive to Electrostatic Discharge. Proper Handing Procedures Should Be Followed.

1 – 7

www.microsemi.com

12 3 4 5 6 7

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型号	品牌	获取价格	描述	数据表
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