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APT5010B2LC

更新时间： 2024-02-29 20:21:06
品牌 Logo 应用领域
ADPOW 晶体晶体管功率场效应晶体管开关脉冲高压栅
页数 文件大小 规格书
2页 120K
描述
Power MOS VI is a new generation of low gate charge, high voltage N-Channel enhancement mode power MOSFETs

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APT5010B2LC 技术参数

生命周期：Obsolete包装说明：IN-LINE, R-PSIP-T3
Reach Compliance Code：unknown风险等级：5.63
Is Samacsys：N其他特性：HIGH VOLTAGE
雪崩能效等级（Eas）：2500 mJ外壳连接：DRAIN
配置：SINGLE WITH BUILT-IN DIODE最小漏源击穿电压：500 V
最大漏极电流 (ID)：47 A最大漏源导通电阻：0.1 Ω
FET 技术：METAL-OXIDE SEMICONDUCTORJESD-30 代码：R-PSIP-T3
元件数量：1端子数量：3
工作模式：ENHANCEMENT MODE封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装形状：RECTANGULAR封装形式：IN-LINE
极性/信道类型：N-CHANNEL最大脉冲漏极电流 (IDM)：188 A
认证状态：Not Qualified表面贴装：NO
端子形式：THROUGH-HOLE端子位置：SINGLE
晶体管应用：SWITCHING晶体管元件材料：SILICON
Base Number Matches：1

APT5010B2LC 数据手册

 浏览型号APT5010B2LC的Datasheet PDF文件第2页 
APT5010B2LC  
500V 47A 0.100 W  
TM  
POWER MOS VI  
Power MOS VITM is a new generation of low gate charge, high voltage  
N-Channel enhancement mode power MOSFETs. Lower gate charge is  
achievedby optimizingthemanufacturingprocesstominimizeCiss andCrss.  
Lower gate charge coupled with Power MOS VITM optimized gate layout,  
delivers exceptionally fast switching speeds.  
T-MAX™  
D
• Lower Gate Charge  
• Faster Switching  
• Lower Input Capacitance  
• Easier To Drive  
Avalanche  
G
•
100%  
Tested•  
Popular  
S
MAXIMUM RATINGS  
All Ratings: T = 25°C unless otherwise specified.  
C
APT5010B2LC  
UNIT  
Symbol Parameter  
VDSS  
ID  
Drain-Source Voltage  
500  
47  
Volts  
Continuous Drain Current @ TC = 25°C  
Amps  
Volts  
1
IDM  
Pulsed Drain Current  
188  
VGS  
VGSM  
Gate-Source Voltage Continuous  
Gate-Source Voltage Transient  
±30  
±40  
Total Power Dissipation @ TC = 25°C  
Linear Derating Factor  
Watts  
W/°C  
520  
PD  
4.16  
-55 to 150  
300  
TJ,TSTG  
TL  
Operating and Storage Junction Temperature Range  
°C  
Amps  
mJ  
Lead Temperature: 0.063" from Case for 10 Sec.  
1
IAR  
Avalanche Current  
(Repetitive and Non-Repetitive)  
47  
1
EAR  
EAS  
50  
Repetitive Avalanche Energy  
PRELIMINARY  
4
2500  
Single Pulse Avalanche Energy  
STATIC ELECTRICAL CHARACTERISTICS  
Symbol Characteristic / Test Conditions  
MIN  
500  
47  
TYP  
MAX  
UNIT  
BVDSS  
ID(on)  
Drain-Source Breakdown Voltage (VGS = 0V, ID = 250µA)  
Volts  
2
On State Drain Current  
(VDS > ID(on) x RDS(on) Max, VGS = 10V)  
Amps  
2
RDS(on)  
Drain-Source On-State Resistance  
(VGS = 10V, 0.5 ID[Cont.])  
Ohms  
µA  
0.100  
25  
Zero Gate Voltage Drain Current (VDS = VDSS, VGS = 0V)  
IDSS  
Zero Gate Voltage Drain Current (VDS = 0.8 VDSS, VGS = 0V, TC = 125°C)  
Gate-Source Leakage Current (VGS = ±30V, VDS = 0V)  
Gate Threshold Voltage (VDS = VGS, ID = 2.5mA)  
250  
±100  
5
IGSS  
nA  
VGS(th)  
Volts  
3
CAUTION: These Devices are Sensitive to Electrostatic Discharge. Proper Handling Procedures Should Be Followed.  
APT Website - http://www.advancedpower.com  
USA  
405 S.W. Columbia Street  
EUROPE  
Bend, Oregon 97702-1035  
F-33700 Merignac - France  
Phone: (541) 382-8028  
Phone: (33) 5 5792 15 15  
FAX: (541) 388-0364  
FAX: (33) 5 56 479761  
Chemin de Magret  
12

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