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APT5010B2FLLG

更新时间： 2024-02-04 14:41:14

品牌	Logo	应用领域
美高森美 - MICROSEMI		开关脉冲晶体管
页数	文件大小	规格书
5页	177K
描述
Power Field-Effect Transistor, 46A I(D), 500V, 0.1ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TMAX-3

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APT5010B2FLLG 技术参数

是否无铅：	不含铅	是否Rohs认证：	符合
生命周期：	Active	包装说明：	IN-LINE, R-PSIP-T3
针数：	3	Reach Compliance Code：	compliant
ECCN代码：	EAR99	风险等级：	1.27
雪崩能效等级（Eas）：	1600 mJ	外壳连接：	DRAIN
配置：	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE	最小漏源击穿电压：	500 V
最大漏极电流 (ID)：	46 A	最大漏源导通电阻：	0.1 Ω
FET 技术：	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR	JESD-30 代码：	R-PSIP-T3
JESD-609代码：	e1	元件数量：	1
端子数量：	3	工作模式：	ENHANCEMENT MODE
最高工作温度：	150 °C	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	IN-LINE
峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED	极性/信道类型：	N-CHANNEL
最大脉冲漏极电流 (IDM)：	184 A	认证状态：	Not Qualified
表面贴装：	NO	端子面层：	TIN SILVER COPPER
端子形式：	THROUGH-HOLE	端子位置：	SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED	晶体管应用：	SWITCHING
晶体管元件材料：	SILICON	Base Number Matches：	1

APT5010B2FLLG 数据手册

APT5010B2FLL

APT5010LFLL

500V 46A 0.100Ω

B2FLL

POWER MOS 7 FREDFET

Power MOS 7^®is a new generation of low loss, high voltage, N-Channel

enhancement mode power MOSFETS. Both conduction and switching

losses are addressed with Power MOS 7^®by significantly lowering R_DS(ON)

and Q_g. Power MOS 7^®combines lower conduction and switching losses

along with exceptionally fast switching speeds inherent with APT's

patented metal gate structure.

T-MAX™

TO-264

LFLL

• Lower Input Capacitance

• Lower Miller Capacitance

• Lower Gate Charge, Qg

• Increased Power Dissipation

• Easier To Drive

• Popular T-MAX™ or TO-264 Package

•

FAST RECOVERY BODY DIODE

MAXIMUM RATINGS

Symbol Parameter

All Ratings: T = 25°C unless otherwise specified.

APT5010B2FLL_LFLL

UNIT

V_DSS

I_D

Drain-Source Voltage

500

Volts

Continuous Drain Current @ T_C= 25°C

Amps

Volts

I_DM

Pulsed Drain Current

184

V_GS

V_GSM

Gate-Source Voltage Continuous

Gate-Source Voltage Transient

Total Power Dissipation @ T_C= 25°C

Linear Derating Factor

±30

±40

Watts

W/°C

520

P_D

4.0

T_J,T_STG

T_L

Operating and Storage Junction Temperature Range

-55 to 150

300

°C

Amps

Lead Temperature: 0.063" from Case for 10 Sec.

I_AR

Avalanche Current

(Repetitive and Non-Repetitive)

E_AR

E_AS

Repetitive Avalanche Energy

Single Pulse Avalanche Energy

1600

STATICELECTRICALCHARACTERISTICS

Symbol Characteristic / Test Conditions

MIN

TYP

MAX

UNIT

Volts

Ohms

BV_DSS

R_DS(on)

Drain-Source Breakdown Voltage (V_GS= 0V, I_D= 250µA)

500

Drain-Source On-State Resistance

(V_GS= 10V, I_D= 23A)

0.100

250

Zero Gate Voltage Drain Current (V_DS= 500V, V_GS= 0V)

Zero Gate Voltage Drain Current (V_DS= 400V, V_GS= 0V, T_C= 125°C)

Gate-Source Leakage Current (V_GS= ±30V, V_DS= 0V)

Gate Threshold Voltage (V_DS= V_GS, I_D= 2.5mA)

I_DSS

µA

1000

±100

I_GSS

V_GS(th)

Volts

CAUTION: These Devices are Sensitive to Electrostatic Discharge. Proper Handling Procedures Should Be Followed.

APT Website - http://www.advancedpower.com

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APT5010B2FLLG 替代型号

型号	品牌	替代类型	描述	数据表
APT5010B2LLG	MICROSEMI	完全替代	Power Field-Effect Transistor, 46A I(D), 500V, 0.1ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Meta

与APT5010B2FLLG相关器件

型号	品牌	获取价格	描述	数据表
APT5010B2LC	ADPOW	获取价格	Power MOS VI is a new generation of low gate charge, high voltage N-Channel enhancement mo
APT5010B2LL	ADPOW	获取价格	Power MOS 7TM is a new generation of low loss, high voltage, N-Channel enhancement mode po
APT5010B2LL	MICROSEMI	获取价格	Power MOS 7 is a new generation of low loss, high voltage, N-Channel
APT5010B2LL_04	ADPOW	获取价格	POWER MOS 7 MOSFET
APT5010B2LLG	MICROSEMI	获取价格	Power Field-Effect Transistor, 46A I(D), 500V, 0.1ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Meta
APT5010B2VFR	ADPOW	获取价格	Power MOS V is a new generation of high voltage N-Channel enhancement mode power MOSFETs.
APT5010B2VFRG	MICROSEMI	获取价格	Power Field-Effect Transistor, 47A I(D), 500V, 0.1ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Meta
APT5010B2VR	ADPOW	获取价格	Power MOS V is a new generation of high voltage N-Channel enhancement mode power MOSFETs.
APT5010B2VRG	MICROSEMI	获取价格	Power Field-Effect Transistor, 47A I(D), 500V, 0.1ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Meta
APT5010DN	ETC	获取价格	TRANSISTOR \| MOSFET \| N-CHANNEL \| 500V V(BR)DSS \| 50A I(D) \| CHIP

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