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| 是否Rohs认证： | 符合 | 生命周期： | Active |
| Reach Compliance Code： | compliant | ECCN代码： | EAR99 |
| 风险等级： | 2.17 | 最大集电极电流 (IC)： | 75 A |
| 集电极-发射极最大电压： | 1200 V | 门极发射器阈值电压最大值： | 6.5 V |
| 门极-发射极最大电压： | 30 V | 最高工作温度： | 150 °C |
| 极性/信道类型： | N-CHANNEL | 最大功率耗散 (Abs)： | 521 W |
| 子类别： | Insulated Gate BIP Transistors | 表面贴装： | YES |
| Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| APT25GR120SSCD10 | MICROSEMI |
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Power Semiconductors Power Modules |
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| APT25GT120BR | ADPOW |
获取价格 |
Thunderbolt IGBT |
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| APT25GT120BRDL | MICROSEMI |
获取价格 |
Resonant Mode IGBT |
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| APT25GT120BRDLG | MICROSEMI |
获取价格 |
Resonant Mode IGBT |
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| APT25GT120BRDQ2 | ADPOW |
获取价格 |
Thunderbolt IGBT |
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| APT25GT120BRDQ2G | ADPOW |
获取价格 |
Thunderbolt IGBT |
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| APT25GT120BRDQ2G | MICROSEMI |
获取价格 |
Power Semiconductors Power Modules |
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| APT25GT120BRG | MICROSEMI |
获取价格 |
Power Semiconductors Power Modules |
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| APT25GT120BRG | ADPOW |
获取价格 |
Thunderbolt IGBT |
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| APT25GT120SR | MICROSEMI |
获取价格 |
Insulated Gate Bipolar Transistor, 54A I(C), 1200V V(BR)CES, N-Channel, D3PAK-3 |
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